类型：射频功率晶体管
　　技术：LDMOS
　　频率范围：2.3 GHz至2.7 GHz
　　输出功率：16W（典型值）
　　增益：14 dB（典型值）
　　漏极效率：40%（典型值）
　　工作电压：28V
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-40°C至+150°C

RF5816SR具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其LDMOS技术提供了高功率密度和良好的热稳定性，使其能够在高功率条件下稳定运行。该器件的工作频率范围为2.3 GHz至2.7 GHz，适用于当前主流的无线通信频段，如2.4 GHz ISM频段和部分5G频段。
　　其次，RF5816SR的典型输出功率为16W，在28V电源供电下可实现高达14 dB的增益和40%的漏极效率，这使得它在功耗和性能之间达到了良好的平衡，适合用于高能效要求的基站和无线接入设备。
　　此外，该器件采用了高可靠性的表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于自动化生产流程。其工作温度范围宽达-40°C至+150°C，能够适应各种恶劣的工作环境，确保系统在极端条件下的稳定运行。
　　RF5816SR还具备良好的线性度和失真控制能力，适用于多载波和高数据速率应用，如OFDM调制系统。这使得它成为WiMAX、LTE和5G通信设备中射频功率放大的理想选择。

RF5816SR广泛应用于无线通信基础设施中，特别是在基站、WiMAX设备、LTE和5G小型基站（Small Cell）等系统中作为射频功率放大器使用。其高效率和高输出功率特性使其适用于多载波通信系统、无线本地环路、工业通信设备以及测试测量仪器中的射频信号放大模块。
　　在现代通信系统中，RF5816SR可用于中功率级别的发射端放大器，支持多种调制格式，如QAM、OFDM等，满足高数据速率传输需求。此外，其紧凑的封装形式也使其适用于空间受限的高密度电路设计，如便携式通信设备和远程无线单元（RRU）等应用场景。
　　由于其出色的线性度和热稳定性，RF5816SR还可用于需要高信号保真度的测试设备和实验室仪器中，作为标准射频放大元件使用。

NXP MRF15160H、STMicroelectronics STRF5816、Infineon BLP0228