RF5765SQ 时间：2025/8/15 14:25:12 阅读：23

RF5765SQ是一款由RF Micro Devices（现为Qorvo）设计制造的射频功率放大器（PA）芯片，广泛应用于无线通信系统中。该芯片采用GaAs HBT（Heterojunction Bipolar Transistor）工艺制造，适用于2.3 GHz至2.7 GHz的频率范围，因此在WiMAX、LTE和其他宽带无线通信基础设施中具有出色的性能表现。RF5765SQ采用紧凑的表面贴装封装，便于集成到PCB设计中，同时提供了高线性度、高效率和良好的热稳定性，使其适用于高要求的通信应用场景。

参数

工作频率范围：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：典型值27 dBm（在1 dB压缩点）
　　增益：典型值34 dB
　　工作电压：+5V至+7V
　　工作电流：典型值180 mA（无信号时）
　　输入驻波比（VSWR）：典型值1.5:1
　　输出驻波比（VSWR）：典型值2.5:1
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：16引脚QFN（5mm x 5mm）

特性

RF5765SQ具有多项出色的电气和物理特性。首先，其高增益特性（典型值34 dB）使得该芯片能够在低输入信号条件下放大信号至较高的输出功率水平，非常适合中功率无线发射应用。其次，该芯片的工作频率范围覆盖2.3 GHz至2.7 GHz，使其适用于WiMAX、LTE和各种2.4 GHz ISM频段应用，具有良好的频率适应性。
　　此外，RF5765SQ采用GaAs HBT工艺制造，具备良好的线性度和稳定性，从而在高数据速率传输中减少失真并提高信号质量。芯片的高输入和输出阻抗匹配（VSWR分别为1.5:1和2.5:1）有助于减少信号反射，提高系统效率。
　　该芯片的封装为16引脚QFN（5mm x 5mm），体积小巧且易于在高密度PCB布局中使用。其宽泛的工作温度范围（-40°C至+85°C）也确保了在恶劣环境下的稳定运行。此外，RF5765SQ具有低静态工作电流（典型值180 mA），在保证高性能的同时兼顾功耗效率，适用于对功耗敏感的应用场景。