RF5755SR 时间：2025/8/16 0:28:10 阅读：21

RF5755SR是一款由Renesas Electronics公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于高功率、高频开关应用，如DC-DC转换器、电源管理和电机控制等。RF5755SR采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，能够在高电流条件下稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：最大50A
　　漏极-源极电压（Vds）：最大60V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.018Ω（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-220AB
　　功耗（Pd）：最大150W

特性

RF5755SR具有多项优异的电气和热性能。首先，其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式结构设计，使得电流密度分布更均匀，提升了器件的可靠性和寿命。此外，RF5755SR具有较高的栅极电荷（Qg）性能，适用于高频开关应用，能够在快速开关过程中保持较低的开关损耗。该器件的热阻较低，能够有效地将热量从芯片传导至散热器，确保在高负载条件下仍能稳定运行。最后，RF5755SR的封装设计提供了良好的机械强度和热稳定性，便于安装和散热。

应用

RF5755SR广泛应用于各种高功率电子设备中，包括DC-DC转换器、电源管理系统、电机驱动器、电池充电器和工业自动化设备等。在DC-DC转换器中，该器件能够提供高效的能量转换，降低能耗并提高系统稳定性。在电源管理系统中，RF5755SR可用于负载开关和电源分配，确保系统在高负载条件下的稳定运行。此外，该器件还可用于电机控制和电池管理系统，提供可靠的高电流开关能力。