RF5633TR13 时间：2025/8/15 19:23:00 阅读：22

RF5633TR13 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）生产的高功率 GaAs pHEMT 射频场效应晶体管（FET），专为高线性度和高效率的应用设计。该器件主要应用于蜂窝基站、无线基础设施、多频段和多模式放大器等射频功率放大场景。RF5633TR13 采用先进的 GaAs 工艺制造，具有出色的热稳定性和可靠性，能够在较宽的频率范围内提供高效的功率放大性能。该器件采用表面贴装封装，便于集成到现代通信设备中。

参数

制造商: Qorvo (RF Micro Devices)
　　类型: GaAs pHEMT FET
　　封装类型: Surface Mount
　　频率范围: 1800 - 2200 MHz
　　工作电压: 28 V
　　输出功率: 10 W (典型值)
　　增益: 17 dB (典型值)
　　效率: 40% (典型值)
　　线性度: -40 dBc (典型值)
　　输入驻波比: 2.0:1 max
　　工作温度范围: -40°C 至 +85°C

特性

RF5633TR13 具有一系列优异的电气和物理特性，适用于高要求的射频功率放大应用。首先，其宽频率范围（1800 - 2200 MHz）使其适用于多种无线通信标准，包括 3G、4G LTE 和 WiMAX 等。其次，该器件在 28V 的工作电压下可提供高达 10W 的输出功率，增益为 17dB，能够满足中功率射频放大器的需求。
　　此外，RF5633TR13 的效率高达 40%，有助于降低功耗和减少散热设计的复杂性，提升系统整体能效。其线性度指标达到 -40 dBc，确保在多载波系统中保持良好的信号保真度，减少邻道干扰（ACPR）。
　　在可靠性方面，该器件能够在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内稳定工作，适应各种恶劣环境条件。其输入驻波比最大为 2.0:1，保证了良好的阻抗匹配和信号传输效率。RF5633TR13 采用表面贴装封装，简化了 PCB 布局并提高了生产自动化程度，降低了制造成本。

应用

RF5633TR13 主要应用于无线通信基础设施领域，如蜂窝基站、多频段射频功率放大器、无线本地环路（WLL）、WiMAX 系统、数字蜂窝通信系统（如 GSM、CDMA 和 LTE）等。其高线性度和高效率特性也使其适用于需要高质量信号放大的测试设备、宽带放大器和广播系统。此外，该器件还可用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频功率放大器设计，满足多种通信和控制应用的需求。