类型：双极型射频功率晶体管
　　材料：硅（Si）
　　最大集电极电流（Ic）：1.2 A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：30 W
　　工作频率范围：175 MHz - 500 MHz
　　增益（|S21|）：约12 dB @ 450 MHz
　　输出功率（Pout）：约10 W @ 450 MHz
　　封装形式：TO-220AB
　　引脚数：3
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

RF5633SB 采用高稳定性的硅双极工艺制造，具备良好的热管理和高功率输出能力，能够在较高的频率范围内稳定工作。其TO-220AB封装形式有助于快速散热，确保在高功率应用中的长期可靠性。
　　该晶体管在UHF频段（如400~500 MHz）表现出优异的增益和输出功率性能，适用于多种模拟和数字调制系统，包括FM广播、无线对讲系统和数字地面广播（DAB）等。
　　此外，RF5633SB具备较高的线性度和低失真特性，有助于提高通信系统的信号质量和传输效率。其高耐压和过流能力使其在复杂电磁环境中具有良好的抗干扰性能。
　　该器件还支持宽温度范围操作，适用于户外和恶劣环境条件下的通信设备，例如移动基站和远程发射装置。

RF5633SB 主要用于以下类型的射频功率放大器设计：
　　1. 无线通信基站的末级或驱动级放大器，特别是在VHF/UHF频段的模拟和数字通信系统中。
　　2. 广播设备中的高功率音频放大器，如FM广播发射器的射频功率放大部分。
　　3. 工业和专业无线对讲系统中的高线性度放大器设计。
　　4. 数字地面广播（DAB）和地面数字电视（DTT）系统的射频前端模块。
　　5. 高频测试仪器和射频信号发生器中的功率放大单元。

MRF151G, 2N5179, BLF244, RD16HHF1