工作频率：50 MHz 至 1 GHz
　　输出功率：600 W（典型值）
　　漏极电压：最大 125 V
　　工作电流：最大 1.8 A
　　增益：14 dB（典型值）
　　效率：>65%
　　封装类型：PCK（塑料封装）
　　输入/输出阻抗：50 Ω（标准）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

RF5601PCK-410 是一款 GaN HEMT 功率晶体管，具有卓越的高频性能和高功率密度，使其在射频功率放大器设计中成为理想选择。其 GaN 材料结构提供了比传统 LDMOS 器件更高的击穿电压和更好的热稳定性。
　　这款晶体管的高增益特性（14 dB 典型值）减少了对前级放大器的需求，从而简化了系统设计并降低了整体成本。其高效率（超过 65%）不仅提高了能源利用率，还降低了散热要求，有助于实现更紧凑的设计。
　　RF5601PCK-410 的工作频率范围为 50 MHz 至 1 GHz，使其适用于多种射频应用，包括蜂窝通信基站、广播发射机、工业加热设备和测试测量仪器。该器件的漏极电压可达 125 V，工作电流最大为 1.8 A，使其能够在高功率条件下稳定运行。
　　该器件采用 PCK 塑料封装，具有良好的射频性能和热管理能力。封装设计支持良好的输入/输出匹配（50 Ω 标准），简化了与射频电路的集成。此外，其宽广的工作温度范围（-40°C 至 +150°C）确保了在各种环境条件下的可靠性。
　　总的来说，RF5601PCK-410 凭借其高功率输出、高效率和宽频率范围，是一款适用于多种高要求射频应用的 GaN 功率晶体管。

RF5601PCK-410 主要用于以下应用领域：
　　? 无线通信基础设施：如 4G/5G 基站、微波通信系统等。
　　? 广播系统：包括 FM 广播和电视发射机。
　　? 雷达和测试设备：用于高功率射频信号放大。
　　? 工业射频设备：如射频加热、等离子体发生器等。
　　? 军用和航空航天系统：如战术通信设备和雷达发射模块。

NXP MRF6VP2600N, Cree CGH40010F, Infineon BGT60LTR11, STMicroelectronics STD12NM48N