RF5570TR7 时间：2025/8/16 1:22:16 阅读：7

RF5570TR7是一款由RF Micro Devices（现为Qorvo）生产的高性能射频功率放大器模块，广泛应用于无线通信系统中，特别是在蜂窝网络基础设施中，如基站和中继器。该放大器模块采用高电子迁移率晶体管（HEMT）技术，具有高增益、高输出功率和良好的线性度。RF5570TR7封装在一个紧凑的表面贴装封装中，便于集成到现代通信设备中。该模块设计用于在800 MHz至1000 MHz频率范围内工作，特别适用于CDMA、WCDMA、LTE和其他无线通信标准。

参数

工作频率：800 MHz - 1000 MHz
　　输出功率：30 dBm（典型值）
　　增益：28 dB（典型值）
　　电源电压：+28 V
　　静态电流：200 mA（典型值）
　　输入驻波比（VSWR）：1.5:1（最大值）
　　输出驻波比：10:1（可容忍）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　尺寸：12.7 mm x 6.35 mm x 2.54 mm

特性

RF5570TR7是一款专为高线性度和高效率设计的射频功率放大器。该模块采用了先进的GaAs HEMT技术，能够在800 MHz至1000 MHz的频率范围内提供稳定的性能。其典型输出功率为30 dBm，增益达到28 dB，适用于多种无线通信标准，包括CDMA、WCDMA和LTE。放大器的电源电压为+28 V，静态电流为200 mA，使其在保持高性能的同时具备较低的功耗。
　　该器件的输入驻波比（VSWR）最大为1.5:1，输出端可承受高达10:1的驻波比，确保在各种负载条件下的稳定运行。RF5570TR7的封装设计紧凑，采用表面贴装技术（SMT），便于在高密度PCB设计中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种严苛的工业和通信环境。
　　此外，RF5570TR7具有良好的热稳定性和机械稳定性，确保在长时间运行中的可靠性。该放大器模块集成了内部匹配电路，减少了外部元件的需求，简化了设计流程，并提高了系统的整体稳定性。其高线性度特性使其适用于需要高质量信号放大的应用，如基站、中继器和分布式天线系统（DAS）。RF5570TR7还具有良好的互调失真（IMD）性能，确保在多载波通信系统中提供清晰的信号传输。