RF5516SB 时间：2025/8/16 3:21:51 阅读：36

RF5516SB 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）生产的 GaAs（砷化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT）射频（RF）功率场效应晶体管（FET）。该器件专为在 1.8 GHz 至 2.7 GHz 的频率范围内工作而设计，适用于无线基础设施、蜂窝基站、工业和商业射频设备等高功率应用场景。RF5516SB 采用先进的 HEMT 技术，具备高增益、高效率以及优异的线性性能，适用于需要高功率输出和可靠性的应用。

参数

类型：HEMT FET
　　工艺技术：GaAs
　　频率范围：1.8 GHz - 2.7 GHz
　　最大漏极电流：1000 mA
　　最大工作电压：28 V
　　输出功率：典型值为 16 W（在 2.1 GHz 下）
　　增益：约 14 dB（在 2.1 GHz 下）
　　效率：约 60%（在 2.1 GHz 下）
　　封装形式：表面贴装（Surface Mount）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

RF5516SB 具有出色的射频性能，适用于高频和高功率应用场景。其 GaAs HEMT 结构提供了高电子迁移率，使晶体管在高频下仍能保持良好的增益和效率。该器件能够在 1.8 GHz 到 2.7 GHz 的广泛频率范围内稳定工作，使其非常适合用于多频段或宽带通信系统。RF5516SB 在 2.1 GHz 下可提供高达 16 W 的典型输出功率，并具有约 14 dB 的线性增益，确保信号传输的高保真度和低失真。此外，该器件的漏极效率高达 60%，有助于减少功耗和散热需求，从而提高系统整体能效。RF5516SB 采用表面贴装封装，便于自动化装配，并具备良好的热稳定性和机械可靠性。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适用于各种严苛环境下的运行。该器件还具备良好的热阻性能，能够有效散热，确保长时间高功率运行的稳定性。