RF5516是一款由RF Micro Devices(现为Qorvo)生产的高增益、低噪声放大器(LNA),专为工作在高频和微波频率范围的应用设计。该器件采用GaAs(砷化镓)工艺制造,具有优异的噪声系数和高线性度,适用于无线通信、雷达、测试仪器和卫星通信等高性能射频系统。
工作频率范围:2.5 GHz至6.0 GHz
噪声系数:约0.85 dB(典型值,5.8 GHz)
增益:约21 dB(典型值)
输出IP3:约35 dBm(典型值)
工作电压:5 V
工作电流:约65 mA(典型值)
输入和输出阻抗:50 Ω
封装形式:16引脚QFN(4mm x 4mm)
RF5516具有低噪声系数和高增益的特点,使其成为高性能射频接收前端的理想选择。其噪声系数在5.8 GHz频率下可低至0.85 dB,能够有效提升接收系统的信噪比。此外,该器件的增益可达21 dB,有助于提升信号强度,降低后续电路的设计难度。RF5516还具备良好的三阶交调截点(IP3),确保在较高输入功率下仍能保持信号的线性度和稳定性。其采用5 V单电源供电,工作电流约为65 mA,功耗适中,适用于多种应用场景。封装形式为16引脚QFN(4mm x 4mm),体积小巧,便于集成在紧凑型射频模块中。
该器件在制造上采用GaAs pHEMT工艺,提供优异的高频性能和稳定性。内部电路设计优化了输入和输出匹配网络,使得用户无需额外添加复杂的外部匹配元件即可实现良好的阻抗匹配。RF5516还具备良好的温度稳定性和抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中保持稳定工作。
RF5516广泛应用于无线通信系统,如Wi-Fi 6E、5G通信、点对点微波链路、雷达系统、测试与测量设备以及卫星通信系统等。其优异的低噪声性能和高线性度特别适合用于接收链路的前端放大器,以提高系统的整体灵敏度和动态范围。此外,该器件也常用于射频识别(RFID)、工业控制系统和高精度测量仪器等需要高性能射频放大的场合。
HMC716LC5A, BGA7257, ATF-55143