RF5355SR 是一款由 RF Micro Devices(现为 Qorvo)生产的 GaN(氮化镓)高电子迁移率晶体管(HEMT)射频功率晶体管。该器件专为高功率射频放大应用而设计,适用于从 DC 到 4 GHz 的广泛频率范围。RF5355SR 以其高效率、高增益和出色的热稳定性著称,非常适合用于无线基础设施、广播系统、工业加热、医疗设备以及军事和航空航天等高要求的应用领域。
频率范围:DC 至 4 GHz
最大漏极电压:125 V
最大漏极电流:5 A
输出功率:典型值 50 W(在 2.7 GHz 下)
增益:27 dB(典型值)
效率:65% 以上
封装类型:气腔陶瓷封装
输入/输出阻抗:50 Ω 标准
RF5355SR 采用先进的 GaN HEMT 技术,具备高功率密度和优异的线性度。其高击穿电压特性使其能够在较高的电源电压下工作,从而提高输出功率和效率。该器件的热管理设计出色,能够在高温环境下保持稳定运行,确保长期可靠性。此外,RF5355SR 在宽频率范围内保持良好的性能表现,适用于多种射频应用。其封装设计支持良好的射频接地和热传导,有助于提升整体系统性能。
该晶体管具有较低的交叉调制失真和优异的互调性能,使其在多载波通信系统中表现出色。同时,RF5355SR 具备较高的抗失真能力,能够在复杂信号环境下保持稳定的放大性能。此外,该器件具有良好的温度稳定性,在不同工作温度下仍能保持一致的性能表现,适用于高要求的户外和工业应用环境。
RF5355SR 主要用于无线通信基站、DVB-T 广播发射机、工业加热设备、医疗射频设备以及测试和测量仪器等应用。其高输出功率和宽频特性使其在多种射频功率放大场合中具有广泛的应用前景。此外,该器件也适用于宽带放大器、LDMOS 替代方案以及高线性度射频系统的设计。在军事和航空航天领域,RF5355SR 也常用于雷达系统、电子战设备和卫星通信系统中,提供高可靠性和高性能的射频放大解决方案。
在无线基础设施中,RF5355SR 能够支持多种调制格式,包括 LTE、5G 和 Wi-Fi 6 等新一代通信标准,提供高线性度和高效率。在广播应用中,它可作为高功率 DVB-T 或 FM 广播发射机的主放大器。在工业和医疗应用中,该器件可用于射频能量传输、等离子体生成和热疗设备等领域。此外,RF5355SR 也常用于科研和测试设备中,作为高功率射频信号源的核心组件。
CGH40010F, CGH40025S, NPT1007, RFPA3940