RF5125SR 时间：2025/8/16 4:27:54 阅读：9

RF5125SR 是一款由 Renesas（瑞萨电子）生产的高性能射频（RF）功率晶体管，属于其LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）产品系列。该器件专为高频、高功率应用而设计，适用于无线通信、广播、测试设备和工业加热等多种领域。RF5125SR 提供了高效率、高线性度和良好的热稳定性，使其在苛刻的工作环境下仍能保持稳定运行。

参数

频率范围：800 MHz - 1 GHz
　　输出功率：250 W（典型值）
　　增益：20 dB（典型值）
　　效率：65%（典型值）
　　工作电压：VDD = 28 V
　　封装形式：SOT-500（金属封装）
　　热阻（Rth）：0.35°C/W
　　输入驻波比（VSWR）：2.5:1（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

特性

RF5125SR 采用先进的LDMOS工艺制造，具有出色的射频性能和可靠性。其高输出功率能力和高效率使其成为基站放大器、Doherty放大器和高功率射频系统中的理想选择。
　　这款晶体管具有良好的热管理和稳定性设计，能够在高功率输出条件下保持较低的工作温度，从而延长器件的使用寿命并提升系统稳定性。此外，RF5125SR 在宽频率范围内保持良好的匹配特性，减少了外围电路的设计复杂性。
　　该器件的高线性度和低失真特性使其适用于现代通信系统中对信号保真度要求较高的应用场景，如4G LTE、5G基础设施和数字广播系统等。此外，RF5125SR 的金属封装形式提供了良好的电磁屏蔽和散热性能。

应用

RF5125SR 主要用于高性能射频功率放大器的设计，广泛应用于无线基站、广播发射器、工业射频加热设备以及测试测量仪器等领域。由于其高效率和高线性度的特点，该器件特别适合用于多载波通信系统和数字广播系统，如DAB、DVB-T等。此外，它也可用于科研实验、射频能量应用以及高功率无线通信设备中的功率放大模块设计。