RF5110GSR 时间：2025/8/16 7:04:20 阅读：6

RF5110GSR 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）推出的高功率射频晶体管，专为高频率和高功率应用设计。该器件采用 GaN（氮化镓）技术，具有优异的功率密度和热性能，适用于无线通信、雷达、测试设备以及其他需要高功率输出的射频系统。

参数

类型：射频功率晶体管
　　工艺：GaN（氮化镓）
　　频率范围：2.7 GHz - 3.5 GHz
　　输出功率：100W（典型值）
　　增益：18 dB（典型值）
　　效率：65%（典型值）
　　漏极电压：28V
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

特性

RF5110GSR 采用先进的 GaN 技术制造，具有出色的热稳定性和高功率密度，能够在高频率范围内提供稳定的性能。该器件的高效率和高线性度使其适用于多种高要求的射频应用，同时具备良好的耐用性和可靠性，能够在恶劣环境下运行。
　　此外，RF5110GSR 设计紧凑，便于集成到现代射频系统中，且具备良好的散热性能，有助于延长设备寿命并提高系统整体效率。其高增益特性也减少了对外部放大器的需求，从而降低了整体系统复杂性。

应用

RF5110GSR 主要用于无线基础设施、雷达系统、测试和测量设备、工业和科学设备等需要高功率射频输出的应用。该器件的高频率范围和高功率输出使其成为 5G 通信、微波通信、宽带无线接入系统等高性能射频系统中的理想选择。
　　在军事和航空航天领域，RF5110GSR 也广泛用于雷达和电子战系统，提供高稳定性和高可靠性的射频功率支持。