型号：RF4E080BN
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：80V
　　连续漏极电流ID：30A（@TC=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：120A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)：8.0mΩ（@VGS=10V, ID=15A）
　　导通电阻RDS(on)：10.5mΩ（@VGS=4.5V, ID=15A）
　　阈值电压Vth：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容Ciss：2700pF（@VDS=40V）
　　输出电容Coss：950pF（@VDS=40V）
　　反向恢复时间trr：25ns
　　最大功耗PD：50W（TC=25℃）
　　工作结温Tj：-55°C ~ +150°C
　　封装：SOP-8（Power SOP）

RF4E080BN采用了ROHM先进的沟槽型MOSFET制造工艺，这种结构通过优化单元设计显著降低了单位面积下的导通电阻，从而实现了超低的RDS(on)值，在VGS=10V时仅为8.0mΩ，即使在较低的驱动电压4.5V下也能维持10.5mΩ的低阻状态，这使得器件在大电流应用场景中具有更低的导通损耗，提高了系统的整体能效。该器件具备出色的开关特性，输入电容和输出电容均经过优化设计，确保在高频开关操作中减少动态损耗，同时降低电磁干扰（EMI）的影响。其反向恢复时间较短，约为25ns，配合体二极管的快速响应能力，可有效抑制因换流引起的电压尖峰，提升系统在硬开关拓扑中的可靠性。
　　该MOSFET还具备优异的热性能表现，得益于SOP-8 Power封装技术，其热阻RθJC（结到壳）显著低于传统封装形式，有利于热量快速传导至PCB，延长器件寿命并增强长期运行稳定性。器件支持高达120A的脉冲漏极电流，展现出强大的瞬态负载处理能力，适用于需要应对突发电流冲击的应用场景，如电机启动或电源软启动过程。此外，RF4E080BN具有良好的栅极氧化层可靠性，栅源电压额定值达±20V，具备较强的抗静电（ESD）能力和抗过压能力，避免因驱动信号异常导致器件损坏。
　　在安全性和鲁棒性方面，该器件通过了严格的雪崩能量测试，具备一定的非钳位感性开关（UIS）耐受能力，可在意外断开感性负载时吸收部分能量而不发生击穿。其宽泛的工作结温范围从-55°C到+150°C，使其能在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车辅助系统等对温度适应性要求较高的领域。所有材料符合无铅和RoHS标准，支持环保生产流程。综合来看，RF4E080BN是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，特别适合用于高密度电源设计中，以实现小型化与高效化的平衡。

RF4E080BN广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。典型用途包括同步整流式DC-DC降压变换器，尤其是在笔记本电脑、服务器主板和嵌入式系统的多相供电架构中，作为上下桥臂开关管使用，凭借其低导通电阻和快速开关特性有效降低功率损耗并提升转换效率。在电池供电设备如移动电源、电动工具和无人机中，该器件常用于电池保护电路和充放电路径控制，提供高效的通断功能和低静态功耗表现。此外，它也被用于电机驱动模块，例如小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，实现精确的速度与方向控制。
　　在LED照明应用中，RF4E080BN可用于恒流驱动电源的主开关元件，特别是在高亮度LED阵列或户外照明系统中，保障长时间稳定运行。通信设备中的电源模块，如PoE（以太网供电）受电端设备（PD），也常采用此类低RDS(on) MOSFET来构建高效的隔离或非隔离电源拓扑。另外，该器件适用于热插拔控制器和负载开关设计，能够在系统上电过程中平滑接通负载，防止电流冲击影响总线电压稳定。工业自动化控制系统中的继电器替代方案、固态开关以及电源分配单元（PDU）中也有广泛应用。得益于其SOP-8小型封装，RF4E080BN尤其适合空间受限但功率需求较高的便携式电子产品设计，是现代高效电源管理解决方案中的关键组件之一。

RJK0808DPB
　　SiHF80N08E