时间：2025/12/25 14:15:58
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RF4E070BN是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极和双扩散工艺制造，具备低导通电阻、高开关速度以及优异的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及电池供电设备等多种应用场景。RF4E070BN封装形式为SOP-8（表面贴装），具有良好的散热性能与空间利用率，适合紧凑型电子产品布局。其额定电压为30V，最大连续漏极电流可达16A，在便携式电子设备中表现出色。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，并具备高可靠性，广泛用于工业控制、消费类电子及通信设备中。作为一款高性能中低压MOSFET，RF4E070BN在能效优化方面表现突出，能够有效降低系统功耗并提升整体工作效率。
型号：RF4E070BN
类型：N沟道MOSFET
封装：SOP-8
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：16A @ 25°C
脉冲漏极电流(IDM)：64A
导通电阻(RDS(on))：7.0mΩ @ VGS=10V, ID=8A
导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ @ VGS=4.5V, ID=8A
栅极阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
输入电容(Ciss)：1300pF @ VDS=15V
反向恢复时间(trr)：25ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
功率耗散(PD)：23W（带散热板）
RF4E070BN采用了罗姆先进的Trench MOS结构技术，这种结构通过优化单元密度和电场分布，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。该器件在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为7.0mΩ，在同类产品中处于领先水平，使其特别适用于大电流开关应用，如同步整流、负载开关和H桥驱动等场景。低RDS(on)还意味着更低的温升，有助于提高系统可靠性和延长使用寿命。
该MOSFET具备快速开关能力，得益于其较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使得在高频PWM控制下仍能保持高效运行，减少开关过程中的能量损耗。这对于现代高频率DC-DC变换器尤为重要，例如在笔记本电脑主板、移动电源、LED驱动电源等设备中，高频操作有助于缩小外围元件体积，实现小型化设计。同时，较短的反向恢复时间（trr=25ns）也降低了体二极管在续流过程中的功耗，进一步提升了转换效率。
RF4E070BN的栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，支持逻辑电平驱动，可直接由微控制器或数字信号处理器输出引脚进行控制，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低成本。其SOP-8封装不仅节省PCB空间，还具备一定的散热能力，配合适当的铜箔布局即可满足大多数中功率应用的散热需求。此外，该器件具有良好的雪崩耐受能力和抗静电（ESD）性能，增强了在复杂电磁环境下的稳定性和鲁棒性。
在可靠性方面，RF4E070BN经过严格的生产测试和质量管控，确保在-55°C到+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于严苛的工业和车载环境。其无铅、无卤素的设计符合当前绿色环保法规要求，满足RoHS和REACH指令，适合出口型电子产品使用。总体而言，RF4E070BN是一款集高性能、高可靠性与环保特性于一体的先进功率MOSFET，是中低压大电流开关应用的理想选择之一。
广泛应用于DC-DC转换器、同步整流电路、电池管理系统(BMS)、电机驱动模块、电源开关、LED照明驱动、便携式电子设备电源管理、工业自动化控制板卡以及各类消费类电子产品中的功率开关场合。
RJK03B9DPN,RJK03B9DPN-TL,JM3T070BN,SI4397DY
