时间：2025/8/15 7:35:37
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RF4180TR7是一款由RF Micro Devices（现为Qorvo）制造的射频功率晶体管，采用先进的GaAs HBT（异质结双极晶体管）技术制造。该器件专为高功率、高频应用设计，适用于无线基础设施、基站放大器、工业和军事通信系统等高性能射频功率放大场景。RF4180TR7工作频率范围宽广，具备高增益、高效率和出色的线性度，使其成为现代通信系统中理想的射频功率放大器。
类型：GaAs HBT射频功率晶体管
工作频率：2.3 GHz至2.7 GHz
输出功率：典型值为30 W（P3dB）
增益：21 dB（典型）
效率：45%（典型）
电源电压：28 V
封装形式：表面贴装（SMT）
热阻：2.5°C/W
工作温度范围：-40°C至+85°C
阻抗匹配：50Ω输入/输出匹配
RF4180TR7采用了先进的GaAs HBT工艺，具有高可靠性和高耐用性，适用于长时间连续运行的通信系统。其高输出功率和高增益特性使其能够在较少的放大级数下实现高效的信号放大，降低系统复杂性和成本。该器件在宽频率范围内保持稳定性能，适用于多种无线通信标准，如W-CDMA、LTE和WiMAX等。此外，RF4180TR7具有良好的线性度和低失真特性，能够满足高保真度信号传输的需求，减少对后续滤波和校正电路的依赖。
该晶体管还具备良好的热管理和高耐压能力，能够在恶劣环境下稳定运行，适用于高海拔、高温或高湿度地区。其SMT封装便于自动化装配，提高生产效率并降低制造成本。RF4180TR7还具有良好的抗负载失配能力，能够在不同负载条件下保持稳定的输出性能。
RF4180TR7广泛应用于无线基站、蜂窝通信系统、宽带无线接入设备、军事通信设备、测试与测量仪器等高性能射频功率放大场合。此外，该器件也适用于广播系统、工业射频加热设备以及远程无线电单元（RRU）等需要高功率、高效率射频放大的场景。
CGH40030P、FMM3127、CMF2001B、MRFE6VP2030H
