类型：射频功率晶体管（MESFET）
　　工艺：GaAs（砷化镓）
　　封装类型：表面贴装（Surface Mount）
　　频率范围：典型工作频率范围在1.5 GHz至2.6 GHz之间
　　输出功率：可达26W（脉冲模式下）
　　漏极电压（Vds）：最大28V
　　栅极电压（Vgs）：-2.5V至+1V
　　漏极电流（Id）：最大连续电流可达1.5A
　　增益：典型值约为12 dB（在2 GHz）
　　效率：典型PAE（功率附加效率）约为40%
　　输入驻波比（VSWR）：< 2.0:1
　　输出驻波比（VSWR）：< 2.0:1

RF3826S2 的核心特性包括其高功率密度和高线性度，这使其在现代通信系统中能够提供稳定的信号放大。该器件采用了先进的GaAs技术，具有良好的高频性能和热稳定性，能够在高温环境下保持可靠的运行。此外，其表面贴装封装设计简化了PCB布局，减少了寄生效应，有助于提高整体系统的性能。该器件的高增益特性使其在射频放大器设计中减少了对外部放大级的依赖，从而降低了整体系统的复杂性和成本。此外，RF3826S2 还具有良好的失配容忍度，能够在负载变化的情况下保持稳定工作，这在实际应用中尤为重要，特别是在天线环境变化较大的场景中。
　　该器件的另一个显著特点是其高效率，典型功率附加效率（PAE）可达40%，这对于降低功耗和减少散热需求至关重要，尤其是在高功率长时间工作的系统中。同时，其脉冲模式下的高输出功率（26W）使其非常适合用于雷达和脉冲通信系统。RF3826S2 的栅极和漏极电压范围适中，便于与常见的射频驱动器和电源管理电路集成，简化了设计流程。
　　从热管理角度来看，RF3826S2 具有良好的热传导性能，通常采用金属底座或散热片封装，以确保在高功率操作时能够有效散热。这种设计不仅提高了器件的可靠性，还延长了其在严苛环境下的使用寿命。

RF3826S2 广泛应用于各种射频和微波系统中，包括无线基站、雷达系统、测试与测量设备、航空航天电子系统以及工业通信设备等。它特别适用于需要高功率放大和高频率操作的场景，例如在2GHz频段的蜂窝通信基础设施中作为功率放大器使用。此外，在军事和航天领域，该器件可用于高可靠性通信和雷达发射模块。在商业应用中，它也常用于点对点微波通信系统、卫星通信地面站和射频测试仪器中的放大模块。由于其良好的线性度和高效率，RF3826S2 在需要高质量信号传输的系统中也表现出色。

Cree/II-VI CGH40025、NXP BLF668、Infineon BFP640ESD、Mitsubishi RA07M2112M、STMicroelectronics STAC261S2