RF3807TR7是一款由Renesas Electronics(瑞萨电子)推出的射频(RF)功率晶体管,采用高电子迁移率晶体管(HEMT)技术制造,适用于高频和高功率应用。该器件设计用于在800 MHz至3 GHz的频率范围内工作,提供高增益、高效率和良好的线性性能,适用于无线基础设施、蜂窝基站、广播系统和工业设备等应用。RF3807TR7采用紧凑型表面贴装封装,便于集成到现代射频系统中。
型号:RF3807TR7
晶体管类型:HEMT(高电子迁移率晶体管)
频率范围:800 MHz - 3 GHz
输出功率:典型值为12 W(在2 GHz)
增益:约20 dB(在2 GHz)
电源电压:28 V
最大漏极电流:1.2 A
输入驻波比(VSWR):≤ 2.5:1
输出驻波比(VSWR):≤ 2.0:1
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:表面贴装(SMT)
封装尺寸:7 mm x 7 mm
RF3807TR7具备多项优异的电气和热性能,使其在高频功率放大应用中表现出色。
首先,该器件采用了Renesas先进的HEMT技术,具有高电子迁移率,能够在高频下提供出色的增益和效率。其典型工作频率范围为800 MHz至3 GHz,覆盖了蜂窝通信、Wi-Fi、WiMAX和广播等常见频段,适用性广泛。
其次,RF3807TR7在2 GHz频率下可提供约12 W的输出功率,增益约为20 dB,具有较高的功率附加效率(PAE),有助于降低系统功耗和散热需求。其输入和输出驻波比分别控制在2.5:1和2.0:1以内,确保了良好的阻抗匹配,减少信号反射,提高系统稳定性。
此外,该器件支持28 V的工作电压和最大1.2 A的漏极电流,能够在较高的电压下稳定运行,适用于多种射频功率放大器拓扑结构。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适合在各种工业和商业环境中使用。
RF3807TR7采用7 mm x 7 mm的表面贴装封装,便于自动化装配,同时具备良好的散热性能,确保在高功率工作时的可靠性。该封装设计也支持多级放大器架构,适用于需要高线性度和高输出功率的应用场景。
RF3807TR7广泛应用于多种射频和微波系统中,特别是在需要高功率、高频率和高稳定性的场合。其主要应用包括:
1. 无线基础设施:如蜂窝基站、Wi-Fi接入点、小型蜂窝系统等,用于功率放大和信号增强。
2. 广播系统:如DAB(数字音频广播)、FM广播和电视广播发射机,提供高线性度和高输出功率。
3. 工业和测试设备:如射频信号发生器、频谱分析仪和测试放大器,用于提供高精度的射频信号。
4. 军事和航空航天:用于通信系统、雷达和电子战设备,确保在复杂电磁环境下的稳定运行。
5. 医疗设备:如磁共振成像(MRI)和射频治疗设备,用于提供稳定的射频能量。
由于其宽频率范围和高可靠性,RF3807TR7也被广泛用于科研和教育领域的射频实验平台。
CGH40010F, MRF6S21140H, HMC811MS16E