类型：N 沟道 LDMOSFET
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　最大漏源电压（VDS）：65V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　工作频率范围：DC 至 1GHz
　　输出功率（CW）：典型 150W
　　增益：典型 20dB
　　效率：典型 70%
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

RF3246TR13 的核心特性之一是其卓越的射频性能，能够在高达 1GHz 的频率范围内提供稳定的高输出功率。该器件的典型输出功率为 150W，适用于连续波（CW）信号放大，特别适合用于基站、广播发射器和工业射频系统。其典型的 20dB 增益确保了信号的高效放大，减少了对多级放大器的需求，从而简化了系统设计并降低了成本。
　　此外，RF3246TR13 具有高达 70% 的典型效率，这在高功率射频应用中至关重要。高效率不仅降低了功耗，还减少了散热需求，提高了系统的可靠性和寿命。该器件采用 TO-247 封装，具有良好的热管理性能，能够有效散热，确保在高功率条件下稳定运行。
　　该晶体管的宽工作温度范围（-55°C 至 +150°C）使其适用于各种严苛的环境条件，包括高温和低温应用场景。RF3246TR13 的栅极设计支持 ±20V 的最大栅源电压，提供了更高的灵活性和兼容性，可以与多种驱动电路配合使用。
　　在制造工艺方面，RF3246TR13 使用先进的 LDMOS 技术，这种技术在射频功率放大器中具有广泛的应用，能够提供高线性度和良好的失真性能，适用于需要高信号质量的通信系统。

RF3246TR13 广泛应用于射频功率放大器的设计中，尤其是在通信和广播领域。常见的应用场景包括蜂窝基站、DVB-T（数字视频广播-地面）发射器、工业射频加热设备、医疗射频治疗设备以及测试与测量仪器。该器件的高输出功率和高效率特性使其成为需要高线性度和稳定性的放大器设计的理想选择，特别是在 UHF（超高频）和 L 波段的应用中表现出色。由于其良好的热稳定性和高可靠性，RF3246TR13 也常用于户外和工业环境中的长期运行系统。

IXYS IXRFD460P2 RF3246TR13 的替代型号之一是 IXRFD460P2，这是一款由 IXYS 公司生产的类似功率 MOSFET 器件，具有相近的电气特性和封装形式，适用于类似的射频放大应用。