工作频率范围：2.3 GHz 至 2.7 GHz
　　输出功率：典型值为 5 W（37 dBm）
　　增益：典型值为 30 dB
　　效率（PAE）：典型值为 40%
　　供电电压：+28 V
　　输入驻波比（VSWR）：≤ 2.0:1
　　输出驻波比（VSWR）：≤ 2.0:1
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：表面贴装（SMT），带有金属屏蔽外壳
　　阻抗：50 Ω

RF3235SB 的主要特性包括其高功率输出、高增益和宽频率覆盖范围，适用于多种无线通信标准。该功率放大器采用了 GaN（氮化镓）HEMT 技术，使其在高频下仍能保持良好的效率和稳定性。
　　其高线性度和低失真特性有助于满足现代通信系统对信号质量的高要求，尤其是在 LTE 和 5G 前向兼容系统中。此外，RF3235SB 还具备良好的热管理和过热保护功能，确保在高负载条件下的长期可靠性。
　　该模块采用紧凑型封装，便于集成到空间受限的基站和无线基础设施中。同时，其内置的偏置电路简化了外部控制电路的设计，提高了整体系统的稳定性和可维护性。

RF3235SB 主要用于以下应用领域：
　　1. LTE 和 WiMAX 基站：作为高功率放大器，用于增强信号传输距离和覆盖范围。
　　2. 宽带无线接入系统：适用于需要高线性度和高效率的点对点微波通信设备。
　　3. 测试与测量设备：用于开发和验证无线通信系统的信号源和功率放大器模块。
　　4. 工业和军事通信系统：适用于需要高可靠性和高性能的特种通信设备。

RF3235SB 可以被以下型号替代使用：Qorvo 的 RF3235SA（不同封装版本）、Ampleon 的 BLM3CP057S-28（类似频率和功率等级的 GaN 功率放大器）、以及 Cree/Wolfspeed 的 CGH40050（50 W GaN HEMT 放大器，适用于更高功率需求）。