RF3235 时间：2025/8/16 8:56:52 阅读：7

RF3235 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）推出的高功率 GaN（氮化镓）射频晶体管，专为高频、高功率应用设计。该器件广泛用于无线通信基础设施、雷达、测试设备以及工业和医疗射频系统。RF3235 的工作频率范围覆盖从 DC 到约 2.7 GHz，具备出色的线性度和效率，适用于各种高功率放大器应用。

参数

器件类型：GaN 射频功率晶体管
　　工作频率：DC 至 2.7 GHz
　　输出功率：典型值为 125 W（在 2.6 GHz）
　　增益：典型值为 18 dB（在 2.6 GHz）
　　漏极效率：典型值为 65%（在 2.6 GHz）
　　封装类型：陶瓷金属封装（Ceramic/Metal）
　　最大漏极电压：65 V
　　输入阻抗：50 Ω（标准）
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

特性

RF3235 采用先进的 GaN 技术制造，具备高功率密度和优异的热管理能力，能够在高工作电压下稳定运行。其高效率和高线性度使其成为基站功率放大器和其他高功率应用的理想选择。此外，该器件具有良好的长期可靠性，能够承受较高的驻波比（VSWR）而不损坏，适用于苛刻的工业环境。
　　RF3235 的设计优化了其在 2.6 GHz 附近的工作性能，适用于 LTE、WiMAX 和其他宽带通信系统。该器件还具备良好的动态范围，支持多种调制格式，从而提高系统的整体性能。由于其高耐用性和高稳定性，RF3235 在各种射频放大器设计中提供了卓越的性能表现。