RF3229-TR13 时间：2025/8/15 23:49:23 阅读：21

RF3229-TR13是一款由RF Micro Devices（现为Qorvo）制造的射频功率晶体管，专为高功率射频放大应用设计。该器件基于GaAs（砷化镓）技术，适用于需要高线性度和高效率的通信系统。RF3229-TR13采用表面贴装封装，适合用于蜂窝基站、无线基础设施以及工业和医疗射频设备。

参数

类型：射频功率晶体管
　　晶体管类型：GaAs FET
　　封装类型：表面贴装
　　频率范围：2.5 GHz至2.7 GHz
　　输出功率：典型值为10 W（40 dBm）
　　增益：典型值为14 dB
　　效率：典型值为40%
　　工作电压：+28 V
　　工作电流：最大值为1.5 A
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　输入和输出阻抗：50Ω

特性

RF3229-TR13的主要特性之一是其在2.5 GHz至2.7 GHz频段内的卓越性能，能够提供高达10 W的连续波（CW）输出功率。其高增益特性（典型值14 dB）使其适用于多级放大器设计中的驱动级或输出级。此外，该器件具有出色的效率（典型值40%），有助于减少功耗和散热需求，从而提高系统可靠性和能效。
　　该晶体管采用热增强型表面贴装封装，简化了PCB布局并提高了散热性能。其输入和输出阻抗为50Ω，无需额外的匹配网络，从而简化了设计和集成过程。RF3229-TR13还具有良好的热稳定性和高可靠性，适合在苛刻的工业和通信环境中使用。