RF3146SB 是一款由 Renesas(瑞萨电子)推出的射频功率晶体管(RF Power Transistor),主要用于高频功率放大应用。该器件采用先进的硅双极晶体管技术,具备高功率增益、优良的线性度和高效率,适用于无线通信基础设施、广播系统、工业设备以及测试设备中的射频放大环节。
类型:NPN 双极晶体管
最大集电极电流(Ic):14 A
最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
最大集电极耗散功率(Pc):250 W
工作频率范围:10 MHz ~ 500 MHz
增益(hfe):≥ 35
封装类型:TO-247AB
热阻(Rth):0.5°C/W
输入阻抗:50Ω
RF3146SB 具备出色的射频功率处理能力,能够在高频段稳定运行,适合高要求的通信应用。其高增益特性可减少前级放大器的设计复杂度,同时提供良好的线性度,降低信号失真。此外,该器件具有良好的散热性能,通过优化的封装设计有效降低了热阻,从而提升了整体的可靠性和寿命。该晶体管还具有良好的抗负载失配能力,能够承受一定程度的输出端口失配,避免器件损坏。在工作温度范围内,RF3146SB 表现出稳定的性能,适用于连续波(CW)和脉冲操作模式,是多种射频放大器设计的理想选择。
从应用角度看,RF3146SB 支持多种调制方式,包括AM、FM和数字调制信号,因此广泛应用于基站放大器、广播发射机、工业加热设备以及射频测试仪器中。其高效率特性也有助于降低系统功耗,提升能源利用率,符合现代电子设备对节能环保的需求。
RF3146SB 主要用于射频功率放大器电路,适用于无线通信系统中的基站发射模块、广播电台发射机、工业和医疗射频设备、测试与测量仪器等。其优异的性能使其在需要高功率输出和稳定性的应用场景中表现出色。
RF3166、RF3136、MRF151G、MRFE6VP61K25H