RF2815TR7 是一款由 RF Micro Devices(现为 Qorvo)生产的射频功率放大器(PA)集成电路,专为蜂窝通信系统设计,尤其是用于 GSM、EDGE 和其他 2G/3G 应用。该器件采用先进的 GaAs HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)技术制造,提供高线性度和高效率,适用于基站和无线基础设施设备中的发射链路。该 IC 采用紧凑型表面贴装封装,便于集成到现代通信设备中。
频率范围:824 MHz - 915 MHz
输出功率:典型值为 +35 dBm(2W)
增益:约 32 dB
电源电压:+5V
电流消耗:典型值为 650 mA
输入驻波比(VSWR):≤ 2.5:1
输出驻波比(VSWR):≤ 5:1
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
RF2815TR7 IC 具有多种关键特性,使其适用于高性能射频功率放大应用。首先,其采用 GaAs HBT 技术,提供了优异的线性度和热稳定性,这对于维持通信信号的完整性至关重要。在高输出功率下,该器件仍能保持较高的效率,从而减少散热需求并提升系统可靠性。
其次,该 IC 设计为单电源供电(+5V),简化了电源管理电路的设计,并降低了整体系统的复杂性。其高增益特性(约 32 dB)使其能够从低电平输入信号放大至高达 2W 的输出功率,适用于中功率基站和无线接入设备。
RF2815TR7 主要用于蜂窝通信系统中的射频功率放大器模块,尤其是在 GSM、EDGE 和其他 2G/3G 基站中。它适用于宏基站、微基站和射频拉远单元(RRU)等无线基础设施设备,作为发射链路中的主功率放大器或驱动放大器。
RF2816TR7, RF2835TR7, SKY65111-396LF