RF2472G 时间：2025/8/16 2:22:42 阅读：10

RF2472G 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）推出的高功率 GaN（氮化镓）射频晶体管，广泛用于高频、高功率的射频放大器应用。该器件适用于商业和工业级的通信设备，如蜂窝基站、广播设备、测试仪器和军事通信系统。RF2472G 的设计使其能够在高频率下提供高输出功率和优异的效率，是一款适用于 2.3 GHz 至 2.7 GHz 频段的射频功率晶体管。

参数

类型：射频功率晶体管
　　技术：GaN（氮化镓）
　　工作频率：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：约 120 W（典型值）
　　增益：约 18 dB（典型值）
　　效率：约 65%（漏极效率）
　　封装：高功率气密封装（Housing: 5 mm 陶瓷封装）
　　输入阻抗：50 Ω（标称）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　漏极电压：50 V

特性

RF2472G 是一款基于 GaN 技术的高功率射频晶体管，具备出色的性能和可靠性。该器件在 2.3 GHz 至 2.7 GHz 频率范围内能够提供高达 120 W 的连续波（CW）输出功率，并且具有 18 dB 左右的高功率增益。其漏极效率约为 65%，这使得系统在高功率输出时仍能保持较低的功耗和热量生成，从而提升整体系统的效率。
　　该器件采用 5 mm 陶瓷封装，具备良好的热管理和散热性能，适合高功率应用。RF2472G 在 -40°C 至 +150°C 的温度范围内都能稳定工作，适用于工业和军事级应用环境。其输入阻抗为 50 Ω，便于与常见的射频电路匹配，减少额外的阻抗匹配电路需求。
　　此外，RF2472G 的 GaN 技术提供了更高的击穿电压和更高的功率密度，使得该晶体管在高功率和高频率条件下表现出色。这种特性使其成为无线基础设施、蜂窝基站、广播设备和测试仪器等领域的理想选择。

应用

RF2472G 主要应用于高频高功率的射频放大器系统。典型应用包括 LTE 和 5G 基站的射频功率放大器、广播发射机、工业和医疗射频设备、测试和测量仪器、雷达和军事通信系统。由于其在 2.3 GHz 至 2.7 GHz 频段内的高功率输出和高效性能，RF2472G 特别适合需要高线性度和高可靠性的通信系统。
　　在无线通信基础设施中，该晶体管可用于基站的最终功率放大阶段，提供稳定的高功率输出。此外，由于其 GaN 技术的优越特性，RF2472G 还可用于需要高功率密度和高效率的军事和航空航天应用，如战术通信设备和雷达系统。其广泛的工作温度范围也使其适用于户外和恶劣环境下的应用。