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RF21N1R0A251CT 发布时间 时间:2025/12/23 20:36:56 查看 阅读:56

RF21N1R0A251CT是一款高性能的射频功率放大器芯片,专为无线通信应用设计。该芯片采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造,具有高效率、高增益和低失真的特点。其工作频率范围广泛,适用于多种射频通信系统,如蜂窝基站、无线接入点以及雷达等设备。
  这款芯片内置了匹配网络,能够简化电路设计并减少外围元件的数量。同时,它支持线性调制信号,确保在复杂的通信环境中提供稳定的性能表现。

参数

型号:RF21N1R0A251CT
  工作频率范围:800MHz - 3GHz
  增益:25dB
  输出功率(P1dB):40dBm
  效率:50%
  电源电压:5V
  静态电流:300mA
  封装形式:SMT
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

RF21N1R0A251CT的主要特性包括:
  1. 高输出功率与高效率的结合,使其非常适合于需要大功率输出的应用场景。
  2. 内置匹配网络减少了外部元件的需求,从而降低了整体解决方案的成本和复杂度。
  3. 支持多种调制模式,适应不同的通信协议需求。
  4. 具备良好的线性度,能够在多载波环境下保持信号完整性。
  5. 紧凑型封装设计,便于集成到小型化设备中。
  6. 宽泛的工作温度范围确保其在极端环境条件下仍能稳定运行。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 蜂窝通信基础设施中的基站功率放大器。
  2. 无线宽带接入设备,例如WiMAX和LTE接入点。
  3. 测试与测量设备中的射频信号源。
  4. 军事及航空航天领域的雷达系统。
  5. 移动无线电通信设备,如对讲机和车载电台。
  6. 物联网(IoT)相关的长距离无线传输模块。

替代型号

RF21N1R0A240CT
  RF21N1R0A260CT

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RF21N1R0A251CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥2.01268卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定250V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.037"(0.95mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-