时间：2025/6/29 12:11:50
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RF21N0R6A251CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高频率、高性能射频功率晶体管。该器件适用于无线通信系统、雷达设备以及测试与测量仪器等高频应用领域。其卓越的射频性能和高效率特性，使得它在现代射频功率放大器设计中备受青睐。
该晶体管采用先进的 GaN 工艺制造，具有出色的增益和线性度，同时支持更高的工作频率和更大的输出功率密度。此外，RF21N0R6A251CT 的封装设计紧凑，便于集成到复杂的射频系统中。
型号：RF21N0R6A251CT
类型：射频功率晶体管
工艺技术：GaN HEMT
最大工作频率：3.5 GHz
饱和漏极电流（Ids）：6 A
击穿电压（Vds）：100 V
栅源开启电压（Vgs）：-4 V至-8 V
输出功率：50 W（典型值）
增益：10 dB（典型值）
封装形式：表面贴装
RF21N0R6A251CT 的主要特性包括以下几点：
1. 高效的功率转换能力，能够显著降低系统功耗。
2. 具备高频率响应能力，可满足多频段和宽带应用需求。
3. 紧凑型封装设计，简化了电路板布局并提高了空间利用率。
4. 内置保护功能，例如过热保护和静电防护（ESD），增强了可靠性。
5. 良好的线性度表现，适合对信号失真要求严格的场景。
6. 支持脉冲模式操作，适用于雷达和其他间歇性发射应用。
RF21N0R6A251CT 广泛应用于以下领域：
1. 无线通信基础设施，如基站功率放大器。
2. 军事和民用雷达系统中的发射机模块。
3. 微波点对点链路及卫星通信系统。
4. 高端测试与测量设备，例如信号发生器和频谱分析仪。
5. 医疗成像设备及其他需要高效射频功率的场合。
RF21N0R8A251CT, RF22N0R6A251CT
