时间：2025/7/10 22:14:36
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RF21N0R3B101CT 是一款高性能的射频 (RF) 功率晶体管，广泛应用于无线通信、雷达和射频能量传输等领域的功率放大器设计中。该器件采用先进的氮化镓 (GaN) 技术制造，具有高功率密度、高效率和宽带宽的特性。其出色的性能使得它成为传统 LDMOS 或 GaAs 器件的理想替代品。
RF21N0R3B101CT 的设计特别针对 S 波段及更高频率的应用进行了优化，支持从 800 MHz 到 4 GHz 的频率范围，适用于多种现代通信标准和系统。
型号：RF21N0R3B101CT
类型：射频功率晶体管
材料：氮化镓 (GaN)
封装：陶瓷气密封装
工作频率范围：800 MHz 至 4 GHz
输出功率（P3dB）：50 W
增益：10 dB
效率：大于 65%
最大漏极电压：50 V
典型栅极偏置：-2.5 V
热阻：1.5°C/W
RF21N0R3B101CT 的主要特性包括：
1. 高输出功率：在高频条件下仍然能够提供高达 50 W 的连续波输出功率。
2. 高效率：基于 GaN 技术的优异热特性和电特性，使其能够在高功率下保持超过 65% 的效率。
3. 宽带宽：覆盖 800 MHz 到 4 GHz 的频率范围，适合多频段应用。
4. 高可靠性：陶瓷气密封装提高了器件在恶劣环境下的稳定性。
5. 紧凑尺寸：得益于 GaN 的高功率密度，器件本身体积较小，便于集成到紧凑型系统中。
6. 良好的线性度：经过优化的设计使线性失真最小化，从而适合数字调制信号放大。
RF21N0R3B101CT 广泛应用于以下领域：
1. 无线通信基站：包括 LTE 和 5G NR 系统中的射频功率放大器。
2. 雷达系统：用于气象雷达、空中交通管制雷达以及其他高性能雷达设备。
3. 射频能量传输：如工业加热、等离子体生成等应用。
4. 测试与测量设备：需要高功率和高精度的射频源。
5. 军事和航空航天：包括卫星通信、电子战系统和导航设备。
RF21N0R3B100CT, RF21N0R3B102CT
