RF2056TR13 是一款由 RF Micro Devices(现为 Qorvo)生产的射频功率放大器(PA)芯片,专为 GSM、EDGE 和其他无线通信系统设计。该芯片采用了先进的 InGaP HBT 技术制造,确保了在高频工作下的高性能和可靠性。RF2056TR13 特别适用于基站和无线基础设施应用,具有高线性度、高增益和良好的热稳定性等特点。
工作频率:824 MHz - 849 MHz
工作电压:5 V
输出功率:30 dBm
增益:约 33 dB
效率:约 45%
输入驻波比(VSWR):1.5:1
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
RF2056TR13 采用 InGaP HBT 技术,具有优异的线性度和高可靠性,适合高要求的无线通信应用。
该芯片提供高增益和高效率,能够在宽温度范围内稳定工作,适合基站和无线基础设施使用。
其设计确保了低失真和高信号完整性,适用于 GSM、EDGE 等多种通信标准。
内置的热保护和过流保护功能,提高了器件的稳定性和使用寿命。
封装形式为 16 引脚 TQFN,便于集成到 PCB 设计中。
RF2056TR13 主要用于无线基站、GSM/EDGE 收发器、无线基础设施设备、工业控制系统和测试测量设备等场景。
该芯片也适用于需要高线性度和高效率的射频放大应用,如远程无线通信设备和高性能射频模块。
在需要高稳定性和高信号质量的场景中,RF2056TR13 是一种理想的射频功率放大解决方案。
RF2055TR13, RF2057TR13