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RF1S9630SM9A 发布时间 时间:2025/12/29 14:17:21 查看 阅读:10

RF1S9630SM9A 是一款由 Renesas(瑞萨电子)生产的射频(RF)功率晶体管,专为高频应用设计。该器件适用于多种无线通信系统,包括蜂窝基站、无线基础设施和广播设备。RF1S9630SM9A 采用了先进的LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术,提供了高效率和优异的热稳定性,适用于高功率和高频段的工作环境。

参数

类型:LDMOS射频功率晶体管
  工作频率:2GHz
  最大工作电压:28V
  最大输出功率:30W
  增益:20dB
  效率:65%
  输入阻抗:50Ω
  封装类型:表面贴装(SMT)

特性

RF1S9630SM9A 的主要特性之一是其卓越的射频性能,能够在2GHz的频率范围内提供稳定且高效的功率输出。其LDMOS技术确保了在高功率工作条件下的可靠性,同时减少了信号失真。此外,该晶体管具有良好的热管理特性,能够在较高温度下保持稳定工作,延长了器件的使用寿命。
  另一个重要特性是其高增益能力,能够在低输入功率下实现高效的信号放大,从而减少对额外放大级的需求。这种特性使得RF1S9630SM9A非常适合用于多级放大器设计中的最终输出级。此外,该器件的50Ω输入阻抗设计使其能够直接与大多数射频系统匹配,简化了电路设计并减少了外部匹配元件的需求。
  RF1S9630SM9A 还具有良好的线性度和稳定性,使其在高要求的通信应用中表现优异。其表面贴装封装(SMT)形式不仅节省了PCB空间,还提高了组装效率,适合大规模生产。

应用

RF1S9630SM9A 主要应用于蜂窝通信基站,尤其是在2GHz频段的3G/4G LTE系统中作为高功率放大器使用。此外,它也适用于无线基础设施设备,如分布式天线系统(DAS)和远程无线电头端(RRH)。该器件还可以用于广播设备,如数字音频广播(DAB)和数字视频广播(DVB)发射机,以及工业和医疗射频设备。由于其出色的线性度和高效率,RF1S9630SM9A 在测试设备和测量仪器中也得到了广泛应用。

替代型号

NXP MRF1510, Cree CGH40010F, STMicroelectronics STD12NM52K3

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RF1S9630SM9A参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压- 200 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流6.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.8 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-263AB
  • 封装Reel
  • 下降时间40 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散75 W
  • 上升时间50 ns
  • 典型关闭延迟时间50 ns