时间：2025/6/23 10:23:40
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RF18N9R1B500CT 是一款高性能的射频 (RF) 场效应晶体管 (FET)，主要用于高频放大器和开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有高增益、低噪声和出色的线性度，非常适合通信系统中的信号处理任务。
此型号是针对射频功率应用设计的氮化镓 (GaN) 器件，能够提供高输出功率和效率，在高频段表现出色。
最大漏极电流：12A
击穿电压：100V
栅极电荷：36nC
导通电阻：0.1Ω
最大工作频率：18GHz
封装形式：陶瓷气密封装
功耗：100W
工作温度范围：-40℃ 至 +100℃
RF18N9R1B500CT 的主要特点是其基于氮化镓技术，提供了卓越的射频性能。它在高频下仍然保持较高的功率增益，并且具备较低的热阻，确保长时间稳定运行。
该器件还支持高效能量转换，减少热量损耗。此外，它的高线性度和稳定性使其成为无线通信基站、雷达系统以及其他射频功率应用的理想选择。
由于采用了陶瓷气密封装，RF18N9R1B500CT 能够在恶劣环境下保持可靠的性能，同时防止湿气和其他环境因素对内部结构造成损害。
这款射频场效应晶体管适用于多种射频功率放大器的设计，包括：
1. 无线通信基站中的功率放大模块
2. 雷达发射机
3. 卫星通信设备
4. 医疗成像设备中的高频信号发生器
5. 工业加热与等离子体生成设备中的射频电源
凭借其高频和高功率特性，RF18N9R1B500CT 在这些领域中都能提供优异的性能表现。
RF18N9R1B500FT, RF18N9R1B700CT
