时间：2025/7/12 15:27:26
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RF18N3R3B251CT 是一款高频射频 (RF) 器件，通常用于通信、无线传输和信号处理领域。该器件属于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，能够提供高功率密度和出色的效率表现。其设计主要用于射频放大器、雷达系统以及卫星通信等应用。
类型：射频晶体管
材料：氮化镓 (GaN)
封装形式：芯片级封装 (CSP)
工作频率范围：3 GHz 至 18 GHz
最大输出功率：30 W
增益：15 dB
电源电压：28 V
直流功耗：45 W
输入匹配阻抗：50 Ω
输出匹配阻抗：50 Ω
结温范围：-55°C 至 +175°C
RF18N3R3B251CT 的核心优势在于使用了先进的 GaN 技术，从而实现了卓越的高频性能和高功率效率。它在高频率范围内的稳定性较高，并且能够在高温环境下保持良好的电气性能。
GaN HEMT 技术使得该器件能够支持更宽的带宽和更高的线性度，同时具备较低的热阻，这有助于提高散热效果和延长使用寿命。
此外，该器件还采用了紧凑型芯片级封装 (CSP)，可以显著减少寄生效应并优化电路设计的灵活性。由于其高增益和低失真特点，该晶体管非常适合用作功率放大器的核心组件。
RF18N3R3B251CT 广泛应用于需要高频率和大功率输出的场景中，例如：
1. 军事和航空航天领域的相控阵雷达系统。
2. 商业卫星通信中的上行链路放大器。
3. 5G 和其他新一代无线通信基础设施中的基站设备。
4. 医疗成像设备和工业检测系统的射频源。
5. 测试与测量仪器中的高性能信号生成模块。
RF16N3R3B201CT
RF20N3R3B301CT
RF18N3R2B251CT
