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RF18N330F251CT 发布时间 时间:2025/7/12 16:21:13 查看 阅读:14

RF18N330F251CT是一款高性能的射频(RF)功率晶体管,专为高频应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备卓越的增益、线性和效率性能。其典型应用包括无线通信系统、射频功率放大器和信号发生器等。RF18N330F251CT的工作频率范围广泛,适合多种射频场景下的功率放大需求。
  此外,该晶体管具有较高的输出功率能力和良好的热稳定性,能够满足现代通信设备对高效率和可靠性的要求。

参数

最大功率:25W
  工作频率:30MHz-300MHz
  增益:12dB
  漏极效率:65%
  饱和电压:24V
  封装形式:TO-247

特性

RF18N330F251CT的主要特点是其在高频段表现出色,同时保持较低的失真率和噪声水平。该器件支持宽范围的工作频率,并且能够在不同负载条件下维持稳定的输出功率。此外,它的热管理和电气性能经过优化,确保长时间运行时的可靠性。
  在实际应用中,RF18N330F251CT因其高效率和线性度而受到青睐,特别适用于需要低功耗和高性能的射频系统。其坚固的封装形式也增强了产品的耐用性,使其能够适应恶劣环境下的操作。

应用

该晶体管主要应用于射频功率放大器的设计与开发,特别是在广播发射机、蜂窝基站以及业余无线电设备中。此外,它也可用于测试设备中的信号源和实验室研究中的实验平台。
  由于其广泛的频率覆盖范围和高功率处理能力,RF18N330F251CT成为许多专业通信系统的理想选择。对于需要大动态范围和稳定输出的应用来说,这款晶体管提供了出色的解决方案。

替代型号

RF18N330F252CT, RF18N330F253CT

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RF18N330F251CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥1.17068卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容33 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定250V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-