RF18N2R4A500CT 是一款高性能的射频 (RF) 功率晶体管,专为高频无线通信应用设计。该器件采用先进的 LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术制造,具有高增益、高效率和出色的线性度特性。其封装形式适合表面贴装工艺,广泛应用于基站功率放大器、无线电通信设备和其他高频功率系统中。
RF18N2R4A500CT 的设计优化了在特定频率范围内的性能表现,使其成为需要稳定输出和高效能量转换的理想选择。
型号:RF18N2R4A500CT
类型:LDMOS 射频功率晶体管
工作频率范围:30 MHz 至 500 MHz
最大输出功率:50 W(典型值)
增益:15 dB(典型值)
效率:60%(典型值)
Vds(漏极-源极电压):50 V
Ids(连续漏极电流):8 A
Pin(输入功率):30 dBm
Pout(饱和输出功率):47 dBm
封装:SMD 表面贴装
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
RF18N2R4A500CT 具有以下显著特性:
1. 高效的能量转换能力,可实现低功耗运行。
2. 在高频段表现出色,适用于多种无线通信标准。
3. 内部匹配网络优化设计,减少外部元件需求并简化电路设计。
4. 热稳定性强,能够在较宽的工作温度范围内保持一致的性能。
5. 表面贴装封装形式便于自动化生产和集成到紧凑型系统中。
6. 高可靠性和长寿命,适合商业和工业级应用环境。
此外,该器件还支持高线性度操作,能够有效减少信号失真,提高通信质量。
RF18N2R4A500CT 广泛应用于以下领域:
1. 无线通信基站中的功率放大器模块。
2. 移动无线电系统,包括双向无线电和紧急服务通信设备。
3. 测试与测量仪器,例如射频信号发生器和分析仪。
4. 工业、科学和医疗 (ISM) 频段设备,如 RFID 阅读器和微波加热装置。
5. 航空航天和国防领域的雷达系统及数据链路设备。
6. 其他需要高性能射频功率放大的应用场景。
RF18N2R4A300CT, RF18N2R4B500CT