RF18N270F500CT 是一款高性能的氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET),专为高频和高功率应用设计。该器件采用先进的 GaN 技术,具有极低的导通电阻和快速开关性能,适合于电源转换、射频放大器以及其他需要高效率和高速度的应用场景。
RF18N270F500CT 的封装形式通常为表面贴装类型,方便在现代 PCB 设计中使用,并且具备良好的热性能。
最大漏源电压:270V
连续漏极电流:18A
导通电阻:50mΩ
栅极电荷:130nC
开关频率:高达 10MHz
工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
RF18N270F500CT 的主要特性包括:超低导通电阻,能够有效降低传导损耗;高开关速度,有助于减少开关损耗并提升系统效率;内置 ESD 保护功能,增强可靠性;支持高频操作,非常适合 D 类音频放大器、DC-DC 转换器及无线充电等应用场景。
此外,该器件还具有卓越的热稳定性和耐受性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能表现。
这款 GaN FET 广泛应用于多种领域,包括但不限于:高效 DC-DC 转换器、图腾柱 PFC(功率因数校正)电路、无线充电设备、D 类音频放大器以及工业电机驱动控制。由于其出色的高频特性和低损耗特点,它也是射频能量应用的理想选择。
RF16N270F500CT, RF20N270F500CT