时间：2025/7/8 9:22:17
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RF18N220F251CT是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
其出色的性能使其能够在高频工作条件下保持高效率，同时具备良好的热稳定性和可靠性。该型号通常用于需要高效能量转换和低功耗的电子设备中。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：0.15Ω
栅极电荷（典型值）：30nC
输入电容：960pF
总功耗：200W
结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关速度，能够有效减少开关损耗，尤其适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 具备较低的栅极电荷，简化了驱动电路的设计并降低了驱动功耗。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. 小型封装选项，便于在紧凑空间内进行布局设计。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 负载开关和保护电路中的关键组件。
5. 工业自动化控制设备中的功率调节模块。
6. 汽车电子系统中的高效能量转换单元。
IRF220,
STP18NF02,
FDP18N20,
IXTH18N20P
