RF18N200G500CT 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,专为高频射频应用设计。该器件具有极低的导通电阻和优秀的开关特性,适用于功率放大器、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。其封装形式为 SOT-227B,能够提供出色的散热性能和可靠性。
RF18N200G500CT 的制造工艺基于先进的沟槽技术,从而实现了更低的栅极电荷和输出电容,有助于提高系统效率并减少能量损耗。
型号:RF18N200G500CT
类型:N沟道MOSFET
VDS(漏源电压):200V
RDS(on)(导通电阻):0.18Ω
IDS(连续漏极电流):30A
PD(总功耗):450W
fT(截止频率):600MHz
Qg(栅极电荷):30nC
Ciss(输入电容):1500pF
Coss(输出电容):100pF
VGSS(栅源电压):±20V
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:SOT-227B
RF18N200G500CT 具备以下显著特点:
1. 高耐压能力(200V),适用于高压环境下的电路设计。
2. 极低的导通电阻(0.18Ω),可有效降低传导损耗。
3. 优秀的高频性能(fT 达到 600MHz),非常适合射频功率放大器以及其他高频应用场景。
4. 快速开关速度,得益于较低的栅极电荷和优化的寄生参数。
5. 强大的散热性能,得益于 SOT-227B 封装结构。
6. 广泛的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),适应极端环境条件。
7. 可靠性高,适用于工业级和军用级设备。
RF18N200G500CT 广泛应用于以下领域:
1. 射频功率放大器:
- 在通信基站、雷达系统中作为核心功率放大元件。
2. DC-DC 转换器:
- 用于高效能电源管理模块中的开关元件。
3. 开关电源:
- 提供快速开关能力和低损耗性能。
4. 负载开关:
- 实现大电流负载的精准控制。
5. 工业控制:
- 在电机驱动、逆变器等需要高可靠性的工业设备中使用。
6. 军事与航空航天:
- 因其高温性能和高可靠性,适用于特殊环境下的电子系统。
RF18N200G400CT, RF18N200G600CT