时间：2025/7/3 19:46:41
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RF18N200G500CT 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，专为高频射频应用设计。该器件具有极低的导通电阻和优秀的开关特性，适用于功率放大器、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。其封装形式为 SOT-227B，能够提供出色的散热性能和可靠性。
RF18N200G500CT 的制造工艺基于先进的沟槽技术，从而实现了更低的栅极电荷和输出电容，有助于提高系统效率并减少能量损耗。
型号：RF18N200G500CT
类型：N沟道MOSFET
VDS（漏源电压）：200V
RDS(on)（导通电阻）：0.18Ω
IDS（连续漏极电流）：30A
PD（总功耗）：450W
fT（截止频率）：600MHz
Qg（栅极电荷）：30nC
Ciss（输入电容）：1500pF
Coss（输出电容）：100pF
VGSS（栅源电压）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：SOT-227B
RF18N200G500CT 具备以下显著特点：
1. 高耐压能力（200V），适用于高压环境下的电路设计。
2. 极低的导通电阻（0.18Ω），可有效降低传导损耗。
3. 优秀的高频性能（fT 达到 600MHz），非常适合射频功率放大器以及其他高频应用场景。
4. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷和优化的寄生参数。
5. 强大的散热性能，得益于 SOT-227B 封装结构。
6. 广泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适应极端环境条件。
7. 可靠性高，适用于工业级和军用级设备。
RF18N200G500CT 广泛应用于以下领域：
1. 射频功率放大器：
- 在通信基站、雷达系统中作为核心功率放大元件。
2. DC-DC 转换器：
- 用于高效能电源管理模块中的开关元件。
3. 开关电源：
- 提供快速开关能力和低损耗性能。
4. 负载开关：
- 实现大电流负载的精准控制。
5. 工业控制：
- 在电机驱动、逆变器等需要高可靠性的工业设备中使用。
6. 军事与航空航天：
- 因其高温性能和高可靠性，适用于特殊环境下的电子系统。
RF18N200G400CT, RF18N200G600CT
