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RF18N200G500CT 发布时间 时间:2025/7/3 19:46:41 查看 阅读:8

RF18N200G500CT 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,专为高频射频应用设计。该器件具有极低的导通电阻和优秀的开关特性,适用于功率放大器、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。其封装形式为 SOT-227B,能够提供出色的散热性能和可靠性。
  RF18N200G500CT 的制造工艺基于先进的沟槽技术,从而实现了更低的栅极电荷和输出电容,有助于提高系统效率并减少能量损耗。

参数

型号:RF18N200G500CT
  类型:N沟道MOSFET
  VDS(漏源电压):200V
  RDS(on)(导通电阻):0.18Ω
  IDS(连续漏极电流):30A
  PD(总功耗):450W
  fT(截止频率):600MHz
  Qg(栅极电荷):30nC
  Ciss(输入电容):1500pF
  Coss(输出电容):100pF
  VGSS(栅源电压):±20V
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:SOT-227B

特性

RF18N200G500CT 具备以下显著特点:
  1. 高耐压能力(200V),适用于高压环境下的电路设计。
  2. 极低的导通电阻(0.18Ω),可有效降低传导损耗。
  3. 优秀的高频性能(fT 达到 600MHz),非常适合射频功率放大器以及其他高频应用场景。
  4. 快速开关速度,得益于较低的栅极电荷和优化的寄生参数。
  5. 强大的散热性能,得益于 SOT-227B 封装结构。
  6. 广泛的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),适应极端环境条件。
  7. 可靠性高,适用于工业级和军用级设备。

应用

RF18N200G500CT 广泛应用于以下领域:
  1. 射频功率放大器:
   - 在通信基站、雷达系统中作为核心功率放大元件。
  2. DC-DC 转换器:
   - 用于高效能电源管理模块中的开关元件。
  3. 开关电源:
   - 提供快速开关能力和低损耗性能。
  4. 负载开关:
   - 实现大电流负载的精准控制。
  5. 工业控制:
   - 在电机驱动、逆变器等需要高可靠性的工业设备中使用。
  6. 军事与航空航天:
   - 因其高温性能和高可靠性,适用于特殊环境下的电子系统。

替代型号

RF18N200G400CT, RF18N200G600CT

RF18N200G500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.16918卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容20 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-