时间：2025/7/9 1:03:05
阅读：9
RF18N180F500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于高频开关应用。其设计优化了功率损耗和热性能，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。
该型号属于 RF 系列，专为要求高效能与可靠性的工业及消费电子设备而设计。
最大漏源电压：180V
连续漏极电流：50A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：35nC
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
RF18N180F500CT 的主要特点是低导通电阻 (Rds(on)) 和高效率，这使得它在高频开关条件下能够显著降低功耗。此外，它的快速开关特性和较低的栅极电荷进一步减少了开关损耗，提高了整体系统效率。
此 MOSFET 还具备出色的热稳定性，在极端温度条件下也能保持性能一致性。另外，其坚固的封装结构使其易于集成到各种功率电路中，并提供良好的散热能力。
典型应用领域包括但不限于：
- 开关电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机控制
- UPS 系统
- 太阳能逆变器
这些应用均依赖于 RF18N180F500CT 提供的高效功率传输与稳定运行。
RF18N180F500CT 广泛应用于需要高效率和高可靠性功率转换的场合。例如，在开关电源中，它可以作为主功率开关使用；在 DC-DC 转换器中，适用于同步整流或升降压拓扑；在电机驱动应用中，则可以实现精确的电流控制并减少发热。
此外，该器件还被用于 UPS 不间断电源系统和太阳能逆变器等复杂电力管理系统，以确保能量的有效转换与分配。
RF18N180F600CT, IRFP260N, FDP18N18
