时间：2025/7/4 20:38:14
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RF18N130G500CT 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，适合用于 DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动等场景。
其封装形式为 TO-263（D2PAK），具有出色的散热性能和高可靠性，适用于各种工业和消费类电子设备。
最大漏源电压：130V
连续漏极电流：18A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：29nC
总电容：170pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
RF18N130G500CT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低功耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用环境。
3. 高耐压能力，能够在高达 130V 的漏源电压下稳定工作。电流输出，满足多种功率转换需求。
5. 具备优异的热稳定性和抗浪涌能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
7. 封装坚固耐用，便于表面贴装和自动化生产。
RF18N130G500CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理与保护
5. 工业逆变器
6. 汽车电子系统
7. LED 驱动电路
由于其高效能和可靠性，该器件在消费电子、通信设备以及工业自动化领域都有广泛应用。
IRF640N
STP18NF120
FDP18N120
IXYS18N120T
SUP18N120
