时间：2025/7/1 20:52:02
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RF18N0R7A500CT 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于 Vishay Siliconix 公司的 PowerPAK? SO-8 封装系列。该器件专为高频开关应用而设计，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于 DC-DC 转换器、同步整流器以及负载开关等应用场景。
这款 MOSFET 的低导通电阻有助于减少传导损耗，同时其优化的栅极电荷能够降低开关损耗，从而提高整体系统效率。此外，其小型封装使其非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：2.94A
导通电阻（典型值）：7mΩ
栅极电荷（典型值）：7nC
总电容：360pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
RF18N0R7A500CT 提供了出色的电气性能，包括低导通电阻和快速开关速度，这使得它非常适合于高效率和高频率的应用场景。
以下是该器件的主要特性：
- 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可显著降低传导损耗。
- 快速开关能力，适合高频电路。
- 高可靠性设计，能够在恶劣环境下长期稳定运行。
- PowerPAK? SO-8 封装形式提供了优越的散热性能和紧凑的空间占用。
- 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子制造的要求。
该器件广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
- 开关电源（SMPS）中的同步整流。
- 便携式设备中的负载开关和电池管理。
- DC-DC 转换器中作为主开关或同步整流器。
- 电机驱动和照明控制。
- 通信设备中的高效功率转换模块。
RF18N0R7SLTCT, SiA456DJ, FDMQ8207
