时间：2025/7/9 11:54:47
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RF18N0R4A500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频、高功率射频应用而设计。该器件具有出色的效率和增益性能，适用于基站、雷达系统以及其他需要高功率密度和宽带宽的射频放大器场景。
这款 GaN HEMT 的封装形式通常为行业标准的陶瓷封装，以确保在高功率运行时具备良好的散热性能和电气稳定性。
型号：RF18N0R4A500CT
类型：GaN HEMT
最大漏极电流：18A
击穿电压：100V
栅极电荷：30nC
输出电容：3.2pF
热阻：0.3°C/W
工作频率范围：DC 至 6GHz
RF18N0R4A500CT 具有非常高的输出功率能力和卓越的线性度表现，能够满足现代通信系统中对高效能功率放大器的需求。
其基于氮化镓的技术提供了比传统硅基 LDMOS 器件更高的功率密度和更宽的工作带宽。
同时，该芯片通过优化的设计减少了寄生效应，从而提高了整体效率并降低了失真。
此外，其低热阻的封装设计保证了在高功率运行条件下的可靠性和长期稳定性。
RF18N0R4A500CT 广泛应用于无线通信基础设施领域，例如：
- 4G/5G 基站功率放大器
- 军用及民用雷达系统
- 卫星通信设备
- 测试与测量仪器中的高性能射频信号源
由于其优异的高频特性和高功率处理能力，它也是工业、科学和医疗 (ISM) 领域的理想选择。
RF16N0R4A500CT
RF20N0R4A500CT
