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RF18N0R3B500CT 发布时间 时间:2025/12/24 16:10:51 查看 阅读:16

RF18N0R3B500CT 是一款 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET),专为高频和高效率应用设计。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及优异的热性能,适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。其封装形式通常为 TO-263 或 D2PAK,有助于提高散热性能和可靠性。
  RF18N0R3B500CT 的核心技术在于其采用了先进的硅工艺,能够在保持低导通损耗的同时降低开关损耗,从而提升整体系统效率。此外,其出色的雪崩能力和抗静电能力也使其在恶劣环境下的表现更加可靠。

参数

型号:RF18N0R3B500CT
  类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压 (Vds):500 V
  最大栅源电压 (Vgs):±20 V
  连续漏极电流 (Id):18 A
  导通电阻 (Rds(on)):3.5 Ω(典型值,在 Vgs=10V 时)
  总功耗 (Ptot):270 W(取决于封装)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263/D2PAK

特性

1. 高耐压能力:RF18N0R3B500CT 支持高达 500V 的漏源电压,适合高压应用场景。
  2. 低导通电阻:典型导通电阻仅为 3.5Ω,能够显著降低传导损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关性能:由于其优化的电容结构和较低的栅极电荷,RF18N0R3B500CT 具备非常快的开关速度,适用于高频电路。
  4. 高可靠性:具备强大的雪崩能量吸收能力,并通过了严格的抗静电测试,确保在复杂环境下稳定运行。
  5. 散热优化:采用 TO-263 或 D2PAK 封装,提供良好的散热路径,支持高功率密度设计。
  6. 宽工作温度范围:支持从 -55°C 到 +175°C 的极端温度条件,适应各种工业和汽车级应用需求。

应用

RF18N0R3B500CT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS):作为主开关管,用于高效转换和稳定输出。
  2. DC-DC 转换器:实现高效的电压调节功能。
  3. 电机驱动:控制直流无刷电机或步进电机的启停与调速。
  4. 太阳能逆变器:在光伏系统中负责能量转换和管理。
  5. 电池管理系统 (BMS):保护电池组免受过充、过放及短路损害。
  6. 工业自动化设备:如伺服驱动器、PLC 控制模块中的关键元件。

替代型号

根据具体应用和性能需求,可考虑以下替代型号:
  1. IRF840:同样为 500V N 沟道 MOSFET,但导通电阻较高,适合低成本应用。
  2. STP18NF50:意法半导体生产的类似规格产品,性能接近且供应链稳定。
  3. FQA18N50C:Fairchild 推出的高性能 MOSFET,具备更低的导通电阻和更高的效率。
  4. IXFN18N50T2:IXYS 公司提供的高可靠性产品,适用于工业和汽车领域。

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RF18N0R3B500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.19161卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.3 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-