RF1694BTR13 时间：2025/8/15 20:49:13 阅读：31

RF1694BTR13 是一款由RF Micro Devices（现为Qorvo）制造的射频（RF）晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管（FET）。该器件专为高性能射频功率放大器应用设计，广泛应用于无线通信系统、蜂窝基站、无线基础设施设备等领域。RF1694BTR13采用了先进的GaAs（砷化镓）技术，具有高功率密度、高增益和良好的线性度，适用于高频段的射频信号放大。

参数

类型：射频功率场效应晶体管（RF FET）
　　工艺技术：GaAs（砷化镓）
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　漏极电流（ID）：最大500mA
　　漏-源极电压（VDS）：最大28V
　　栅-源极电压（VGS）：-2.5V ~ +1.5V
　　工作频率范围：DC至6GHz
　　输出功率：典型20dBm（在2.1GHz下）
　　增益：典型18dB（在2.1GHz下）
　　功率附加效率（PAE）：典型25%
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

特性

RF1694BTR13具有多项优异的电气和物理特性，使其在射频功率放大器设计中表现出色。首先，该晶体管采用GaAs材料，具备高频响应能力，可在高达6GHz的频率范围内稳定工作，适用于多种无线通信标准，如CDMA、WCDMA、LTE等。其次，RF1694BTR13的高功率密度和良好的线性度使其在多载波和宽带应用中具有优势，能够提供高质量的信号放大，减少失真和互调干扰。
　　此外，该器件的封装设计为表面贴装型（SMD），便于自动化生产并降低PCB布局的复杂性。其宽泛的工作温度范围（-40°C至+85°C）确保其在各种环境条件下都能可靠运行，适用于工业级和通信设备应用。RF1694BTR13还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在持续高功率工作条件下保持性能稳定。
　　值得一提的是，该晶体管的栅极控制电压范围较宽（-2.5V至+1.5V），便于设计人员根据系统需求进行偏置调整，以优化功耗与性能之间的平衡。同时，其高增益特性（18dB）减少了前级驱动电路的设计复杂度，提高了整体系统的集成度和效率。

应用

RF1694BTR13主要用于无线通信基础设施中的射频功率放大器设计，包括蜂窝基站、微波中继、无线局域网（WLAN）、WiMAX、DVB-T发射器等应用。该晶体管适用于需要中等功率输出和高线性度的射频系统，尤其适合工作频率在2GHz至6GHz之间的通信设备。此外，RF1694BTR13也可用于测试仪器、功率放大模块、军事通信设备及工业控制系统等对性能和可靠性要求较高的场合。