RF1658TR 时间：2025/8/15 21:59:02 阅读：18

RF1658TR 是一款由 Renesas Electronics（瑞萨电子）推出的高性能射频（RF）晶体管，主要用于射频功率放大器应用。这款晶体管基于硅双极型技术制造，适用于多种高频应用，包括无线基础设施、基站放大器、工业设备和通信系统等。RF1658TR 采用小型表面贴装封装，适用于高频率和高可靠性应用场景。

参数

型号: RF1658TR
　　类型: NPN 射频晶体管
　　最大集电极电流（Ic）: 100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）: 12 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）: 15 V
　　最大功耗（Ptot）: 300 mW
　　工作频率范围: 100 MHz 至 1 GHz
　　增益（hfe）: 最小 80（在 100 MHz）
　　输出功率: 27 dBm（典型值，1 GHz）
　　封装类型: SOT-89

特性

RF1658TR 是一款专为射频功率放大设计的晶体管，具备优异的高频性能和稳定性。该器件支持从 100 MHz 到 1 GHz 的宽频率范围，使其适用于多种无线通信系统。其高增益特性（在 100 MHz 下 hfe 最低为 80）能够有效提升信号放大能力，降低对外部放大器的需求。
　　该晶体管的输出功率在 1 GHz 频率下可达到 27 dBm（典型值），满足中功率射频应用的需求。同时，其最大集电极电流为 100 mA，最大集电极-发射极电压为 12 V，确保其在高功率条件下仍能稳定运行。
　　RF1658TR 的 SOT-89 表面贴装封装不仅体积小巧，而且具备良好的散热性能，适用于高密度 PCB 设计。这种封装形式也提高了装配效率，降低了生产成本。此外，该器件的工作温度范围较宽，通常适用于工业级温度条件，使其在各种环境条件下均能可靠运行。
　　在热管理和功耗方面，RF1658TR 的最大功耗为 300 mW，具备良好的热稳定性。这使得该晶体管能够在长时间运行下保持较低的温度，从而提高系统的整体可靠性。

应用

RF1658TR 主要应用于射频功率放大器、无线基础设施、基站收发系统、工业射频设备以及各类通信模块。由于其优异的高频特性和稳定的输出功率，该器件常用于 GSM、CDMA、WiMAX 和 LTE 等无线通信系统中的射频放大环节。此外，它还可用于射频测试设备、功率放大器模块、无线传感器网络以及工业控制系统的射频前端设计。