RF1643PCK-410 时间：2025/8/15 19:38:14 阅读：7

RF1643PCK-410 是一款由 Renesas（瑞萨电子）制造的射频（RF）晶体管，属于高功率射频MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该晶体管设计用于在甚高频（VHF）至超高频（UHF）范围内工作的高功率放大器应用，例如广播、通信和工业射频加热系统。该器件采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，提供高效率、高线性度以及良好的热稳定性。

参数

类型：射频MOSFET晶体管
　　封装类型：气密封装（PCK封装）
　　最大漏极电压（VDS）：65V
　　最大漏极电流（ID）：连续工作模式下10A
　　频率范围：典型用于400MHz至470MHz频段
　　输出功率：在410MHz下可提供超过500W的连续波（CW）输出功率
　　增益：典型值27dB
　　漏极效率：超过65%
　　工作温度范围：-65°C至+150°C
　　存储温度范围：-65°C至+150°C
　　热阻（Rth）：结至壳热阻约为0.25°C/W
　　封装尺寸：根据PCK封装规格定制，通常为多引脚陶瓷封装

特性

RF1643PCK-410是一款专为高功率射频应用设计的LDMOS晶体管，具有出色的电气性能和可靠性。其主要特点包括高功率输出能力、高效率和优良的线性度，适用于需要高功率放大的通信和广播设备。该器件能够在400MHz至470MHz频段内稳定工作，尤其在410MHz下可提供超过500W的连续波（CW）输出功率，适合用于UHF频段的发射机系统。此外，该晶体管具有良好的热管理和散热能力，其结至壳热阻约为0.25°C/W，有助于在高功率条件下保持较低的结温，延长器件寿命。RF1643PCK-410采用气密封装（PCK封装），提高了器件的可靠性和抗环境影响能力，适合在严苛的工业环境中使用。其高增益（典型27dB）和高漏极效率（超过65%）使其在设计高效率放大器时具备显著优势，减少电源消耗和散热需求。该晶体管还具有良好的抗失真性能，适用于需要高线性度的调制信号放大应用，例如数字广播和宽带通信系统。
　　此外，该器件在制造上采用了先进的LDMOS技术，使得其在高频段仍能保持稳定的性能，并具备较高的抗过载能力。其设计允许在连续波（CW）或脉冲工作模式下运行，适应不同的应用需求。由于其高性能和可靠性，RF1643PCK-410广泛用于广播发射机、专业通信设备、工业射频加热装置以及测试和测量设备中的高功率射频放大模块。

应用

RF1643PCK-410广泛应用于需要高功率射频放大的场合，包括UHF频段的广播发射机、专业无线通信系统（如公共安全通信、应急通信设备）、工业射频加热和等离子体生成设备、医疗射频治疗设备、射频测试设备以及军用和商用雷达系统中的发射模块。该器件特别适用于需要高效率、高线性度和稳定性能的高功率放大器设计。