RF1643CTR13 时间：2025/8/15 23:36:32 阅读：23

RF1643CTR13 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）生产的高性能射频（RF）晶体管，专为高功率和高频应用设计。该器件采用先进的 GaAs（砷化镓）技术制造，适用于无线基础设施、基站放大器、工业和商业射频设备等应用场景。这款晶体管采用紧凑的表面贴装封装，便于集成到各种高频电路中。

参数

类型：射频功率晶体管
　　材料：GaAs
　　封装类型：表面贴装
　　工作频率：最高可达 2.5 GHz
　　最大输出功率：10 W
　　增益：约 10 dB
　　工作电压：+28 V
　　工作电流：典型值为 400 mA
　　输入/输出阻抗：50 Ω

特性

RF1643CTR13 具备出色的高频性能和稳定的输出功率，适用于需要高线性度和高效率的射频应用。该器件采用先进的 GaAs 技术，具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在高温环境下稳定运行。其紧凑的表面贴装封装设计不仅节省空间，还简化了 PCB 布局和制造流程。此外，RF1643CTR13 提供了较高的增益和较低的噪声系数，使其成为无线通信系统中理想的射频放大器解决方案。
　　该晶体管的高功率处理能力使其适用于多载波放大器、蜂窝基站、无线本地环路（WLL）和微波通信设备。同时，其宽频带特性使其在多个频段内都能保持良好的性能表现，满足多种射频应用的需求。器件内部集成了输入匹配网络，降低了外部电路的设计复杂度，提高了系统的整体性能和稳定性。

应用

RF1643CTR13 广泛应用于无线通信基础设施，如 2G、3G 和 4G 基站、功率放大器模块、无线接入点、射频测试设备以及工业和医疗射频系统。其高功率和高频率特性使其非常适合用于多载波和宽带放大应用，能够满足现代通信系统对高性能射频器件的需求。此外，该器件还可用于卫星通信、雷达系统和射频能量应用等领域。