时间：2025/7/8 10:12:47
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RF15N9R0B500CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频、高功率射频应用。该器件采用了先进的 GaN-on-SiC 技术，具有出色的射频性能和高效率，广泛应用于通信系统、雷达、卫星通信等领域。
RF15N9R0B500CT 的设计旨在满足现代射频功率放大器对高增益、宽带宽和高线性度的需求。其封装形式优化了散热性能，能够支持更高的输出功率密度。
最大漏源电压：100V
连续波输出功率：50W
频率范围：2GHz 至 18GHz
漏极效率：大于65%
增益：大于10dB
工作温度范围：-40°C 至 +100°C
封装形式：陶瓷气密封装
输入匹配阻抗：50Ω
输出匹配阻抗：50Ω
RF15N9R0B500CT 拥有卓越的射频性能，得益于氮化镓材料的高击穿场强和高电子饱和速度特性，使得该器件在高频和高功率条件下表现出色。
其高效率和低热阻设计显著提高了系统的整体效能，同时延长了设备的使用寿命。
此外，该器件具备良好的线性度和稳定性，可有效减少信号失真，并且能够在较宽的频率范围内保持一致的性能表现。
RF15N9R0B500CT 的紧凑型封装也使其适合空间受限的应用场景，而无需牺牲散热性能或可靠性。
RF15N9R0B500CT 广泛应用于高要求的射频领域，包括：
1. 无线通信基础设施，如 5G 基站、微波链路等。
2. 雷达系统，包括气象雷达、空中交通管制雷达等。
3. 卫星通信系统中的上行链路和下行链路放大器。
4. 医疗成像设备中的高功率射频源。
5. 工业、科学和医疗（ISM）领域的射频能量应用。
由于其宽广的频率覆盖范围和高功率处理能力，RF15N9R0B500CT 成为众多高性能射频应用的理想选择。
RF15N9R0B400CT
RF15N9R0B600CT
