RF15N9R0B500CT 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),适用于高频、高功率射频应用。该器件采用了先进的 GaN-on-SiC 技术,具有出色的射频性能和高效率,广泛应用于通信系统、雷达、卫星通信等领域。
RF15N9R0B500CT 的设计旨在满足现代射频功率放大器对高增益、宽带宽和高线性度的需求。其封装形式优化了散热性能,能够支持更高的输出功率密度。
最大漏源电压:100V
连续波输出功率:50W
频率范围:2GHz 至 18GHz
漏极效率:大于65%
增益:大于10dB
工作温度范围:-40°C 至 +100°C
封装形式:陶瓷气密封装
输入匹配阻抗:50Ω
输出匹配阻抗:50Ω
RF15N9R0B500CT 拥有卓越的射频性能,得益于氮化镓材料的高击穿场强和高电子饱和速度特性,使得该器件在高频和高功率条件下表现出色。
其高效率和低热阻设计显著提高了系统的整体效能,同时延长了设备的使用寿命。
此外,该器件具备良好的线性度和稳定性,可有效减少信号失真,并且能够在较宽的频率范围内保持一致的性能表现。
RF15N9R0B500CT 的紧凑型封装也使其适合空间受限的应用场景,而无需牺牲散热性能或可靠性。
RF15N9R0B500CT 广泛应用于高要求的射频领域,包括:
1. 无线通信基础设施,如 5G 基站、微波链路等。
2. 雷达系统,包括气象雷达、空中交通管制雷达等。
3. 卫星通信系统中的上行链路和下行链路放大器。
4. 医疗成像设备中的高功率射频源。
5. 工业、科学和医疗(ISM)领域的射频能量应用。
由于其宽广的频率覆盖范围和高功率处理能力,RF15N9R0B500CT 成为众多高性能射频应用的理想选择。
RF15N9R0B400CT
RF15N9R0B600CT