时间：2025/7/9 14:22:45
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RF15N8R2D500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高频射频功率晶体管。该器件专为高效率和宽带应用而设计，适用于通信、雷达、航空航天以及其他高性能射频系统。其卓越的性能来源于 GaN 的高电子迁移率和高击穿电压特性。
该器件采用了增强型工艺制造，并结合了高效的封装技术，使其在高频段具备优异的功率增益和线性度表现。
最大输出功率：50W
频率范围：DC 至 15GHz
增益：大于 10 dB（典型值）
饱和输出功率：43 dBm
电源电压：+28V
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
封装形式：陶瓷气密封装
尺寸：15mm x 15mm x 5mm
RF15N8R2D500CT 提供了卓越的射频性能，特别是在高频率和高功率的应用场景中。以下详细说明其主要特性：
1. 高效的功率转换：得益于 GaN 的材料优势，该器件能够实现高达 70% 的功率附加效率（PAE），从而降低系统的热损耗。
2. 宽带操作能力：覆盖从直流到 15GHz 的频率范围，使得该器件非常适合多频段或宽带应用。
3. 出色的增益表现：在典型工作条件下，该晶体管可提供超过 10 dB 的增益，确保信号强度。
4. 稳定的工作性能：通过内部匹配网络优化，器件能够在宽泛的工作条件下保持稳定的输出。
5. 良好的线性度与可靠性：经过严格测试以保证在长时间使用中的稳定性，适合关键任务环境下的部署。
6. 小型化设计：紧凑的陶瓷气密封装不仅节省空间，还提高了抗恶劣环境的能力。
RF15N8R2D500CT 主要用于需要高性能射频放大器的场合，具体包括：
1. 军用雷达系统：提供强大的发射功率支持。
2. 卫星通信：作为上行链路功率放大器的核心组件。
3. 无线基础设施：例如 5G 基站中的 PA 模块。
4. 测试测量设备：如矢量信号发生器中的驱动级放大器。
5. 医疗成像：超声波设备的高频脉冲生成部分。
6. 工业加热与等离子体激发：利用其高功率处理能力。
RF15N8R2D500BT, RF12N8R2D400CT
