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RF15N4R3B500CT 发布时间 时间:2025/7/10 22:17:21 查看 阅读:12

RF15N4R3B500CT 是一款高性能的射频功率放大器模块,适用于无线通信领域的中高功率射频应用。它采用了先进的半导体制造工艺和封装技术,能够在较宽的频率范围内提供高效的功率输出,并具备良好的线性度与增益性能。
  该器件广泛应用于基站、中继器以及其他需要稳定射频信号放大的场景。

参数

型号:RF15N4R3B500CT
  工作频率范围:1.8 GHz 至 2.2 GHz
  输出功率:43 dBm(典型值)
  增益:15 dB(典型值)
  效率:50%(典型值,在 POUT=43 dBm 时)
  供电电压:50 V
  静态电流:300 mA(典型值)
  封装形式:陶瓷封装
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

RF15N4R3B500CT 的主要特点是其高输出功率和高效能表现,同时保持较低的失真率以支持复杂的调制模式。这款模块内置了匹配网络,可以减少外部元件的需求并简化设计流程。
  此外,该芯片还具有较高的可靠性和稳定性,能够承受一定的负载不匹配情况而不影响性能。
  由于采用了陶瓷封装,它在高频操作下表现出更好的热管理和电磁兼容性,从而进一步提升了整体性能。

应用

RF15N4R3B500CT 广泛用于以下领域:
  1. 无线通信基站中的射频功率放大器
  2. 射频重发器或中继器设备
  3. 高功率测试仪器
  4. 军用或工业无线通信系统
  5. 点对点微波链路及类似的大功率射频应用
  其出色的效率和功率输出使其成为许多高性能射频系统的理想选择。

替代型号

RF15N4R3B400CT, RF15N4R3A500CT

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RF15N4R3B500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.06745卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容4.3 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-