制造商：Qorvo (原 RF Micro Devices)
　　产品类型：射频功率晶体管
　　技术：LDMOS
　　频率范围：约 1805 - 1880 MHz
　　增益：典型值 20 dB
　　输出功率：15 W PEP（峰值包络功率）
　　工作电压（VDS）：28 V
　　漏极电流（IDQ）：典型值 150 mA
　　输入回波损耗：>10 dB
　　输出回波损耗：>10 dB
　　阻抗匹配：内部匹配至 50 欧姆
　　封装类型：陶瓷封装（具体型号可能为 SOT-1008 或类似）
　　热阻（Rth）：低热阻设计以提高散热效率
　　稳定性：全频段内无条件稳定
　　防护特性：集成 ESD 防护和过温保护机制

RF15N3R7B101具备卓越的射频性能与高度集成的设计特点，使其成为现代无线通信系统中关键的功率放大元件。
　　首先，该器件基于成熟的LDMOS工艺，能够在高频段下实现高增益和高效率的功率放大。其典型增益达到20dB，在28V工作电压下可提供高达15W的峰值包络功率输出，满足大多数4G LTE及3G W-CDMA基站对上行链路驱动的需求。同时，它在整个目标频段（如1805–1880MHz）内保持平坦的增益响应和优异的线性度，有助于减少信号失真并提升调制质量。
　　其次，该晶体管采用全匹配设计，输入和输出端均已内部匹配至50欧姆，极大简化了外部电路设计，降低了客户开发难度和PCB布局复杂度。这不仅缩短了产品上市时间，也提升了系统的一致性和可重复性。
　　再者，其陶瓷封装具有极佳的导热性能和机械强度，确保在长时间高功率运行下的可靠性和寿命。热阻参数经过优化，能有效将芯片热量传导至散热器，避免因过热导致性能下降或损坏。
　　此外，RF15N3R7B101具备良好的抗失配能力，即使在天线端出现较高VSWR的情况下仍能安全工作，无需额外复杂的保护电路。这种“坚固性”是基站设备在野外部署时极为重要的特性。
　　最后，该器件通过严格的工业级认证，支持宽温度范围工作（-40°C 至 +150°C结温），适应各种严苛环境条件，适用于全球范围内的电信基础设施建设。

RF15N3R7B101主要用于各类无线通信基础设施中的射频功率放大器模块，尤其适用于蜂窝网络基站系统。
　　其核心应用场景包括宏蜂窝、微蜂窝和分布式天线系统（DAS）中的最终功率放大级（Final PA Stage），支持GSM、DCS、PCS、UMTS/W-CDMA以及LTE等多种通信标准。在这些系统中，该晶体管负责将中频或射频信号放大至足够高的电平，以便通过天线进行远距离传输。由于其高线性度和低互调失真特性，特别适合处理复杂的调制信号（如OFDMA、QAM等），从而保障数据传输的质量与速率。
　　此外，该器件也可用于公共安全通信系统、专用移动无线电（PMR）、海上和航空通信设备中的高功率射频发射单元。在这些领域，系统的稳定性和可靠性至关重要，而RF15N3R7B101的高耐用性和抗干扰能力正好满足此类需求。
　　在测试与测量设备中，该晶体管也可作为高功率信号源的一部分，用于校准和验证其他射频组件的性能。由于其稳定的输出特性和良好的温度适应性，常被选作实验室和生产线上可靠的射频功率输出器件。
　　随着5G网络的发展，尽管毫米波频段逐渐兴起，但在sub-6GHz中频段仍大量沿用LDMOS技术，因此RF15N3R7B101及其同类产品仍在过渡期和特定频段中发挥重要作用。

RF28N3R7B101
　　RF30N3R7B101
　　PD55003E