时间：2025/6/27 14:02:58
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RF15N3R6B101CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，专为高频和高功率应用设计。该器件采用了先进的 GaN-on-SiC 工艺技术，具有卓越的开关性能、低导通电阻以及出色的热稳定性。
由于其高频率和高效率的特点，RF15N3R6B101CT 广泛应用于射频功率放大器、无线充电设备、雷达系统、通信基站等领域。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：3A
导通电阻：6mΩ
栅极电荷：25nC
输出电容：980pF
典型开关频率：5MHz
封装类型：QFN-8
RF15N3R6B101CT 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压：支持高达 150V 的漏源电压，适用于高压环境下的稳定运行。
2. 超低导通电阻：仅为 6mΩ，有效降低传导损耗并提高整体效率。
3. 快速开关速度：得益于 GaN 材料的优异性能，可实现高达 5MHz 的开关频率，满足高频应用需求。
4. 热性能优越：采用高效的散热设计和 SiC 基板，确保长时间工作的温度稳定性。
5. 小型化封装：QFN-8 封装形式，节省 PCB 空间，便于集成到紧凑型设计中。
6. 可靠性高：通过了严格的可靠性测试，保证在恶劣环境下仍能正常工作。
RF15N3R6B101CT 的主要应用场景包括：
1. 射频功率放大器：用于通信基站、卫星通信等领域的高效率信号放大。
2. 无线充电模块：作为核心功率元件，提升无线充电系统的传输效率。
3. 雷达系统：支持高频和大功率的雷达发射与接收功能。
4. 医疗设备：如超声波设备中的高频驱动部分。
5. 工业电源转换：例如 DC/DC 转换器或逆变器中的高效功率开关组件。
6. 汽车电子：可用于电动车车载充电器或其他高频功率控制场合。
RF15N3R6B102CT, RF15N3R6B103CT
